采用溶胶一凝胶法制备CaCu3Ti0,2(CCTO)前驱粉体，然后与聚偏氟乙烯(
PVDF)进行复合，制备了CCTO/PVDF复合材料。研究了在不同锻烧温度和不同含量CCTO前驱粉体条件下CCTO/PVDF复合材料的介电性能与微观结构。结果表明:CCTO前驱粉体的晶粒尺寸随着锻烧温度的升高而逐渐增大，并且在各个锻烧温度下CCwww.jieyuechem.cnTO前驱粉体的粒径分布较宽。随着锻烧温度的升高，CCTO/PVDF复合材料的介电常数减小。CCTO/PVDF复合材料的介质损耗也随锻烧温度的升高呈现下降趋势，这可能是由前驱粉体自身的损耗造成的。CCTO/PVDF复合材料的介电常数和介质损耗均随CCTO前驱粉体含量的增加而增大。关键词:CCTO;
PVDF;介电性能;锻烧温度随着微电子技术的迅猛发展，电子器件逐渐向小型化、高速化、高储能化方向发展，要求电介质材料具有良好的加工性能和介电性能。传统的电介质材料主要分为两类:一类是高介电陶瓷;另一类是高介电聚合物。目前常见的高介电陶瓷主要有BaTi03、CaCu3Ti40,2(CCTO)、La,.BSro.ZNiwww.jieyuechem.cnO、等，虽然高介电陶瓷具有高介电常数，但存在制备工艺复杂、能耗高、加工性差等缺点，严重限制了它的广泛应用。而常见的高介电聚合物主要有聚偏氟乙烯、环氧树脂、聚乙烯等虽然聚合物具有良好的柔韧性和易成膜等优点，但其介电常数低，难以达到实际应用的要求。
许多研究者提出将高介电陶瓷和聚合物复合制务综合性能优异的电介质复合材料。以钦酸铭钡和聚偏氟乙烯为原料，采用溶液延流法成功制备了BTO/PVDF复合材料。结果发现，溶液延流法制备的复合材料不会影响BTO陶瓷和PVDF基体的晶型。在温度为25℃和频率为100Hz的测试条件下，当填料质量分分,10%,30%,50%时，BTO/PVDF复合材料的介电常数分别为6.5,8.0,9.0,10.0，介质损耗因数分别为0.090,0.087,0.089,0.100。研究了混杂粒径(1000nm,100nm)和单一粒径(100nm)BTO陶瓷粉体对BTO/PVDF复合材料介电常数的影响。结果显示，混杂粒径BTO陶瓷粉体填充的BTO/PVDF复合材料的介电常数低于单一粒径BTO陶瓷粉体填充的复合材料，并且不同含量的混杂粒径BTO陶瓷粉体对复合材料介申常数的影响不同。www.jieyuechem.cn