圣连蓄电池SL400-2厂家现货直发2V400AH

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圣连蓄电池采用铅、钙、锡合金作极板材料，不含对环境有污染和不易回收的锑或镉等物质。采用精确的定量自动加酸仪，对电池进行精神的定量加酸，无多个余酸量释出，以确保电池质量的稳定性和环境的安全性。 
●安全可靠 
采用特殊密封设计和密封工艺，电解液无泄漏，控制阀采用防酸防爆装置，无酸雾析出，无爆炸可能；由于采用特殊的内部结构，即使在遇到地震、战争等意外情况下壳体破裂，电池仍能继续工作。 
●极低的内阻 
采用美国技术高分子聚合物复合隔板，及特殊的工艺与结构，使电池内阻极小，大电流放电性能优良。 
●极低的自放电率 
采用美国技术高分子聚合物复合隔板，和高纯度的原材料及特殊工艺保证，特殊添加剂，从而使电池具有极低的自放电率。 
●长寿命、低维护费用 
由于电池采用特殊的设计，不仅重量能量比高，而且使用寿命长，25℃环境下，电池设计寿命为12V系列5-8年，2V系列8-10年。而且在正常使用整个过程中，无需加水、加酸维护。 
●均衡性好 
采用特殊工艺控制，严格保证电池极群重量一致，保证电池出厂开路电压、浮充电压一致。 原装圣连蓄电池SL7-12 12V7AH原装现货
●较宽的温度使用范围 
使用温度范围为-40℃-50℃，使用环境温度为5℃-30℃。 
●较宽的温度使用范围 
12V系列：10AH-200AH 
2V系列：100AH-3000AH

美国科学家开发出一种新技术，首次成功地将复合半导体纳米线整合在太阳能硅片上，攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。他们表示，这些细小的纳米线有望带来优质高效且廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。

III-V族化合物半导体指元素周期表中的III族与V族元素结合生成的化合物半导体，主要包括镓化砷、磷化铟和氮化镓等，其电子移动率远大于硅的电子移动率，因而在高速数字集成电路上的应用比硅半导体优越，有望用于研制将光变成电或相反的设备，比如高端太阳能电池或激光器等。然而，它们无法与太阳能电池最常见的基座硅无缝整合在一起，因此，限制了它们的应用。

每种晶体材料都有特定的原子间距--晶格常数（点阵常数），III-V族半导体在制造太阳能电池的过程中遭遇的最大挑战一直是，这种半导体没有同硅一样的晶格常数，它们无法整齐地叠层堆积在一起。该研究的领导者、伊利诺伊大学电子和计算机工程教授李秀玲（音译）解释道，当晶体点阵排列不整齐时，材料之间会出现错位。此前，科学家们一般将III-V族半导体沉积在一个覆盖有一层薄膜的硅晶圆上方，但晶格失配会产生压力从而导致瑕疵，降低所得到设备的性能。

而在最新研究中，科学家们摒弃了薄膜，让一个细小的、排列紧凑的III-V族化合物半导体组成的纳米线阵列垂直在硅晶圆上生长。李秀玲表示：“这种纳米线几何图形通过使失配应变能真正通过侧壁消失，从而更好地摆脱了晶格匹配的限制。”

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