美国丰江蓄电池DC150-12仪器仪表

美国丰江蓄电池DC150-12仪器仪表
美国丰江蓄电池DC150-12仪器仪表

FULLRIVER电池制造有限公司成立于1995年。FULLRIVER自豪地作为英超质量的铅酸电池制造商在中国赢得了世界声誉。FULLRIVER专业生产阀控式密封铅酸蓄电池铅酸蓄电池,包括FULLRIVER的高性能直流深循环范围。 FULLRIVER所有的电池是免维护的,非危险品和非溢漏的,提供一个清洁和绿色替代传统电池的湿/被淹的危险。不像许多的电池生产商,FULLRIVER控制整个制造过程,从电网铸造及板粘贴到最后的组装。这一点的重要性不能被夸大,它确保全面质量控制。 FULLRIVER已经获得了质量保证认证,包括ISO9001认证,UL,CE和TUV认证的质量生产体系。 FULLRIVER生产的BCI,DIN和JIS包括各种国际规格的电池。今天,FULLRIVER的制造工厂占地面积80万平方尺,产生广泛6,8和12伏的电池。

FULLRIVER BATTERY is a privately owned company, and is one of the largest Valve Regulated Sealed Lead Acid Battery manufacturers in China.


FULLRIVER BATTERY's major manufacturing facility, with five production lines and an operating aera of 73,000 square meters (803,000 square feet), is located in Guangdong, China. If needed, the size of this facility can be doubled.

FULLRIVER BATTERY currently supplies its full-line VRLA battery products to customers in North America, South America, Asia, Europe, Middle East, and North Africa, West Africa,and plans to further penetrate other world markets.

Mr. Huang Guolin, the president and CEO of FULLRIVER BATTERY, wishes to extend FULLRIVER's products and bring values to all the customers around the world.



FULLRIVER蓄电池通常是指铅酸蓄电池,它是电池中的一种,属于二次电池。它的工作原理:充电时利用外部的电能使内部活性物质再生,把电能储存为化学能,需要放电时再次把化学能转换为电能输出。它用填满海绵状铅的铅基板栅(又称格子体)作负极,填满二氧化铅的铅基板栅作正极,并用密度g/mlg/ml的稀硫酸作电解质。电池在放电时,金属铅是负极,发生氧化反应,生成硫酸铅;二氧化铅是正极,发生还原反应,生成硫酸铅。电池在用直流电充电时,两极分别生成单质铅和二氧化铅。移去电源后,它又恢复到放电前的状态,组成化学电池。铅蓄电池是能反复充电、放电,它的单体电压是2V,电池是由一个或多个单体构成的电池组,简称蓄电池,最常见的是6V、12V蓄电池,其它还有2V、4V、8V、24V蓄电池。如汽车上用的蓄电池(俗称电瓶)是6个铅蓄电池串联成12V的电池组。 使用蓄电池动力的叉车对于传统的干荷铅蓄电池(如汽车干荷电池、摩托车干荷电池等)在使用一段时间后要补充蒸馏水,使稀硫酸电解液保持1.28g/ml左右的密度;而现在大部分都是免维护蓄电池,其使用直到寿命终止都不再需要添加蒸馏水。
据悉，金属—氧化物—半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中最基本的器件，工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸正在不断缩小，而其功率密度也一直在升高。

人们常用的U盘等闪存芯片则采用了另一种称为浮栅晶体管的器件。闪存又称为“非挥发性存储器”——所谓“非挥发”，即指芯片在没有供电的情况下，信息仍能被保存而不会丢失。这种器件在写入和擦除时都需要有电流通过一层接近5纳米厚的氧化硅介质，因此需要较高的操作电压(接近20伏)和较长的时间(微秒级)。

复旦大学的科研人员们把一个隧穿场效应晶体管(TFET)和浮栅器件结合起来，构成了一种全新的“半浮栅”结构的器件，被称为“半浮栅晶体管”。“硅基TFET晶体管使用了硅体内的量子隧穿效应，而传统的浮栅晶体管的擦写操作则是使电子隧穿过绝缘介质。”论文第一作者、复旦大学教授王鹏飞对记者解释说。

“隧穿”是量子世界的常见现象，可以“魔术般”地通过固体，类似于“穿墙术”。“隧穿”势垒越低，相当于“墙”就越薄，器件隧穿所需电压也就越低。把TFET和浮栅相结合，半浮栅晶体管的“数据”擦写便更加容易与迅速。
高容量电源启动 -启动任何尺寸的发动机

最高储备能力在同行业中 -供电范围广泛的配件

循环能力 -为您提供所需要的长寿

优异的导电性 -铜管端子提供更大的电力传输

耐用 -坚固的设计可承受



冲击和振动

充电效率 -快速充电比传统的湿电池

保质期长 -只有1%,每月自放电

便利 -免维护密封结构-无需水

安全 - DOT,IATA,IMDG和国际民航组织认证的非spillable

两用电池用于多种应用,其中包括:汽车,商业,应急车辆,船舶,房车,动力运动等等。 FULLRIVER的慧聪两用电池设计,提供更多的权力和能力在许多生命周期。 所有这一切力量,与被非危险性和免维护的方便和实惠。

终端配置

为了确保质量和耐用性,我们利用最高等级铅和黄铜制造电池端子。

各种丰江电池车型的标准配备M8的终端,其中还包括我们的目标价螺旋式黄铜AP岗位。

作为一种新型的基础器件，半浮栅晶体管可应用于不同的集成电路。首先，它可以取代一部分的SRAM，即静态随机存储器。其次，半浮栅晶体管还可以应用于DRAM，即动态随机存储器领域。半浮栅晶体管不但应用于存储器，它还可以应用于主动式图像传感器芯片(APS)。由单个半浮栅晶体管构成的新型图像传感器单元在面积上能缩小20%以上，感光单元密度提高，使图像传感器芯片的分辨率和灵敏度得到提升。

目前，SRAM、DRAM和图像传感器技术的核心专利基本上由美光、三星、Intel、索尼等国外公司控制。

“在这些领域，中国大陆具有自主知识产权且可应用的产品几乎没有。”张卫说。

据了解，半浮栅晶体管在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模可达到300亿美元以上。而且，半浮栅晶体管兼容现有主流硅集成电路制造工艺，并不需要对现有集成电路制造工艺进行很大的改动，具有很好的产业化基础。

据张卫透露，目前针对半浮栅晶体管的优化和电路设计工作已经开始。对于产业化进程，他表示，希望能够有设计和制造伙伴与科研团队进行对接，向产业化推进。

不过，拥有核心专利并不等于拥有未来的广阔市场。尽管半浮栅晶体管应用市场广阔，但前提是必须进行核心专利的优化布局。