分子束外延设备厂家 分子束外延设备 北京沈阳鹏程真空技术

MBE分子束外延的来源

分子束外延是50年代用真空蒸发技术制备半导体薄膜材料发展而来的。随着超高真空技术的发展而日趋完善，由于分子束外延技术的发展开拓了一系列崭新的超晶格器件，扩展了半导体科学的新领域，进一步说明了半导体材料的发展对半导体物理和半导体器件的影响。分子束外延的优点就是能够制备超薄层的半导体材料；外延材料表面形貌好，而且面积较大均匀性较好；可以制成不同掺杂剂或不同成份的多层结构；外延生长的温度较低，有利于提高外延层的纯度和完整性；利用各种元素的粘附系数的差别，可制成化学配比较好的化合物半导体薄膜。

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MBE分子束外延法介绍

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分子束外延是种物理沉积单晶薄膜方法。在超高真空腔内，源材料通过高温蒸发、辉光放电离子化、气体裂解，电子束加热蒸发等方法，产生分子束流。入射分子束与衬底交换能量后，经表面吸附、迁移、成核、生长成膜。生长系统配有多种监控设备，可对生长过程中衬底温度，生长速度，膜厚等进行瞬时测量分析。对表面凹凸、起伏、原子覆盖度、黏附系数、蒸发系数及表面扩散距离等生长细节进行准确监控。由于MBE 的生长环境洁净、温度低、具有准确的原位实时监测系统、晶体完整性好、组分与厚度均匀准确，是良好的光电薄膜，半导体薄膜生长工具。

MBE分子束外延的特点

分子束外延与其他外延方法相比具有如下的特点：

1）源和衬底分别进行加热和控制，生长温度低，如GaAs可在500摄氏度左右生长，可减少生长过程中产生的热缺陷及衬底与外延层中的杂质的扩散，可得到杂质分布陡峭的外延层；

2）生长速度低，分子束外延设备多少钱，可以利用快门精密的控制掺杂、组合和厚度，分子束外延设备生产厂家，是一种原子级的生长技术，有利于生长多层异质结构；

3）MBE生长不是在热平衡条件下进行的，是一个动力学过程，因此可以生长一般热平衡生长难以得到的晶体；

4）生长过程中，分子束外延设备，表面处于真空中，利用附设的设备可以进行原位（即时）观测，分析、研究生长过程、组分、表面状态等。

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