硅基氮化镓外延片生产厂商 GaN外延技术

苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产的硅基氮化镓外延片尺寸主要有2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件及射频HEMT用外延片产品，第三代半导体硅基氮化镓外延材料产品可应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。

碳化硅基氮化镓外延片RF HMET结构应用于微波电子器件，产品尺寸为2英寸-6英寸，碳化硅衬底为4H-SiC晶型，衬底厚度350um/500um。氮化镓缓冲层厚度1.8um，氮化铝间隔层1nm。

GaN氮化镓材料大的禁带宽度，使得其制备的功率器件可以在没有复杂设计的散热装置的辅助下正常工作，这样可以大幅降低电力电子设备的体积和成本。又因为击穿电场强度与能带的平方成正相关，GaN氮化镓材料的击穿电压理论上可达到大于3 MV/cm的水平，远大于Si和GaAs。此外，GaN材料同时还拥有非常卓越的电子传输特性，其中包括更高的迁移率，更大的饱和漂移速度。这些使其非常适合用于制作功率电子器件。