奥科蓄电池6GFM12-17 批发零售及价格说明

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种MOSFET与双极晶体管复合的器件。它既有功率MOSFET易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点。据东芝公司资料，1200V/100A的IGBT的导通电阻是同一耐压规格的功率MOSFET的1/10，而开关时间是同规格GTR的1/10。由于这些优点，IGBT广泛应用于不间断电源系统（UPS）的设计中。这种使用IGBT的在线式UPS具有效率高，抗冲击能力强、可靠性高的显著优点。　　

　　UPS主要有后备式、在线互动式和在线式三种结构。在线式UPS以其可靠性高，输出电压稳定，无中断时间等显著优点，广泛用于通信系统、税务、金融、证券、电力、铁路、民航、政府机关的机房中。本文以在线式为介绍对象，介绍UPS中的IGBT的应用。　　

　　在线式UPS电源具有独立的旁路开关、AC/DC整流器、充电器、DC/AC逆变器等系统，工作原理是：市电正常时AC/DC整流器将交流电整流成直流电，同时对蓄电池进行充电，再经DC/AC逆变器将直流电逆变为标准正弦波交流电，市电异常时，电池对逆变器供电，在UPS发生故障时将输出转为旁路供电。在线式UPS输出的电压和频率最为稳定，能为用户提供真正高质量的正弦波电源。
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奥科蓄电池产品特点：
1.使用寿命
高强度紧装配工艺，提高电池装配紧度，防止活物质脱落，提高电池使用寿命。
低酸比重电液，提高电池充电接受能力，增强电池深放电循环能力。
增多酸量设计，确保电池不会因电解液枯竭缩短电池使用寿命。
此GFM系列蓄电池的正常浮充设计寿命可达15年以上(25℃)
2.高倍率放电性能优良
高强度紧装配工艺，电池内阻极小，大电流放电特性优良，比一般电池提高20[%]以上。
3. 自放电低
高纯度原料和特殊造工艺，自放电很小，室温储存半年以上也可无需补电。
4.维护简单
特殊氧气吸收循环设计，克服了电池在充电过程中电解失水的现象，在使用过程中电解液水份含量几乎没有变化，因此电池在使用过程中完全无需补水，维护简单
奥科 UPS电源免维护铅酸蓄电池按《GB/T阀控封式铅酸蓄电池标准》设计制造，产品在使用前无需加水，用户只需正确安装即可使用。蓄电池具有无酸液泄漏、电阻小、耐震动性能、抗过放电恢复能力强，自放电小，寿命长等特点。
宝贝特点：
装备紧密，不渗漏，无酸污染;无需特定环境使用；无需加水，无需补充电解液，免维护；连接方便，无需特定方向使用；内阴小，输出功率高；低阻抗设计，自放电低，容量保持及存储时间在20℃下达12个月以上；采用C.C.D.S充放电检测系统，保证了产品一致性;采用高强度工程塑料为原料及高密度超细玻璃纤维隔板，确保电池的一流品质；适应各种温度条件（-15℃—45℃）;无游离电解液，防爆，自放电小。
性能与优势：
安全可靠性高
采用全自动的安全阀（VRLA），能防止气体被吸入蓄电池影响其性能，同时也可防止因充电等所产生的气体造成内压异常而损坏蓄电池。全密闭蓄电池在正常浮充下不会有电解液及酸雾排出。同时，采用自主专利技术的蓄电池托盘与蓄电池配套使用，确保蓄电池组使用更加安全。
使用寿命长

型号	电压	容量	参考重量	外型尺寸
（V）	（Ah）	（Kg）	长宽高（mm）
6GFM12-7	12	7	2.6	1156594
6GFM12-17	12	17	6
6GFM12-38	12	38	12
6GFM12-65	12	65	20	350166175
6GFM12-100	12	100	30	407173210

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整流器AC/DC

　　　　UPS整流电路分为普通桥堆整流、SCR相控整流和PFC高频功率因数校正的整流器。传统的整流器由于基频为50HZ，滤波器的体积重量较重，随着UPS技术的发展和各国对电源输入功率因数要求，采用PFC功率因数校正的UPS日益普及，PFC电路工作的基频至少20KHZ，使用的滤波器电感和滤波电容的体积重量大大减少，不必加谐波滤波器就可使输入功率因数达到0.99，PFC电路中常用IGBT作为功率器件，应用IGBT的PFC整流器是有效率高、功率容量大、绿色环保的优点。　　③充电器　　

　　UPS的充电器常用的有反激式、BOOST升压式和半桥式。大电流充电器中可采用单管IGBT，用于功率控制，可以取得很高的效率和较大的充电电流。　　

　　④DC/AC逆变器　　

　　3KVA以上功率的在线式UPS几乎全部采用IGBT作为逆变部分的功率器件，常用全桥式电路和半桥电路。　

　　2、IGBT损坏的原因　　

　　UPS在使用过程中，经常受到容性或感性负载的冲击、过负荷甚至负载短路等，以及UPS的误操作，可能导致IGBT损坏。IGBT在使用时的损坏原因主要有以下几种情况：　　

　　①过电流损坏;　　

　　IGBT有一定抗过电流能力，但必须注意防止过电流损坏。IGBT复合器件内有一个寄生晶闸管，所以有擎住效应。图5为一个IGBT的等效电路，在规定的漏极电流范围内，NPN的正偏压不足以使NPN晶体管导通，当漏极电流大到一定程度时，这个正偏压足以使NPN晶体管开通，进而使NPN和PNP晶体管处于饱和状态，于是寄生晶闸管开通，门极失去了控制作用，便发生了擎住效应。IGBT发生擎住效应后，漏极电流过大造成了过高的功耗，最后导致器件的损坏。

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