国产MOS管 100V中低压低导通电阻 N沟道MOS管厂商

       国产MOS管 100V中低压低导通电阻 N沟道MOS管厂商

低开启电压 封装TO-252 N沟道

惠海半导体，中低压MOS原厂，货源充足，价格优，研发和销售中低压MOS 。

HC080N10L是惠海半导体公司推出的一款针对打火机适用的N沟道MOS管，相对于P沟道MOS管，导通电阻更小，并且容易制造。漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为

500.0V，漏极持续电流（DC）Id为18A，体积小巧同时适合大规模批量生产，具有高电压、低导通电阻，高切换速度、高雪崩耐久性、高di/dt耐久性等优点。是中大功率电源类应用的选

择。主要面向负载/电源开关，DC-DC转换，高速脉冲放大器等市场应用。

漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为500.0V，栅极/源极电压VGSS为±30V