30V45A低内阻DFN3*3沟槽型NMOS HC3039D
产品型号：HC3039D
参数：30V25A
内阻：12.5mR
结电容：459pF
类型：N沟道场效应管，内阻12mR
文章链接：安防展览网 //www.afzhan.com/company_news/detail/297511.html
类型：N沟道场效应管
开启电压：1.8V
封装：DFN3333
特点：小体积、散热好、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强
应用于车灯照明、车载电子、电动车应用、LED去频闪、LED升降压照明、太阳能电源等
惠海半导体厂家直销 HC3039D 25N03 DFN3*3 25A 30V MOS管 N沟道 沟槽工艺 性能优越