N型Si掺杂自支撑氮化镓晶片生产商

恒迈瑞公司目前自支撑氮化镓衬底片有2英寸氮化镓衬底片材料，实现了氮化镓单晶材料生长的n型掺杂、补偿掺杂，研制出高电导率的和半绝缘的氮化镓单晶。

GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ-Ⅴ族化合物中是高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。因为其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。

　　化学特性：在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下稳定。