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智能水杯无线充电(Qi标准)EMI测试与线圈屏蔽方案

发布时间:2025-07-04 11:27  点击:1次
智能水杯的无线充电功能基于 Qi 标准(工作频率 110kHz - 205kHz),其电磁干扰(EMI)主要源于线圈的交变磁场辐射及内部电路的高频开关噪声。以下从 EMI 测试标准、关键项目及线圈屏蔽方案展开说明。一、EMI 测试标准与关键项目1. 适用标准基础标准:遵循 CISPR 11(工业、科学和医疗设备),智能水杯属于 Class B 设备(面向家庭环境),需满足更严格的辐射限值。Qi 标准补充:无线充电联盟(WPC)要求设备在 10kHz - 30MHz 频段的辐射干扰不得影响其他 Qi 设备及周边电子系统(如心脏起搏器等医疗设备)。2. 传导发射测试(150kHz - 30MHz)(1)测试要求频段与限值:150kHz - 500kHz 准峰值限值 66dBμV,500kHz - 30MHz 准峰值限值 34dBμV(CISPR 11 Class B)。测试重点:通过 LISN(电源阻抗稳定网络)测量充电底座电源线的传导干扰,需覆盖待机、充电(5W/10W)等状态。某智能水杯在 200kHz 频段因电源滤波不足,传导发射达 72dBμV,超出标准 6dB,导致同线路收音机出现杂音。3. 辐射发射测试(30MHz - 1GHz)(1)测试要求近场辐射:在 30MHz - 300MHz 频段,距离设备 3m 处的准峰值限值 40dBμV/m;300MHz - 1GHz 频段限值 47dBμV/m。远场辐射:针对线圈的低频磁场(110kHz - 205kHz),需满足 EN 62311(人体暴露于电磁场的评估),磁场强度在 10cm 距离处≤6.25μT(rms)。(2)测试方法使用磁场探头(如 EMCO 3801)在 110kHz - 205kHz 频段扫描线圈周边磁场分布,记录最大值。在半电波暗室中,通过转台和接收天线(双锥天线 + 对数周期天线)测量 30MHz 以上的辐射发射,需模拟水杯放置(注水 / 空杯)、充电中断等场景。二、线圈干扰源分析1. 主要干扰路径磁场辐射:发射线圈通以高频交变电流(110kHz - 205kHz),产生交变磁场,若屏蔽不良,会通过空间耦合干扰周边设备(如智能手表、无线耳机)。谐波辐射:功率管(如 MOSFET)的开关动作产生高次谐波(2 次 - 10 次谐波,220kHz - 2MHz),通过线圈和电源线辐射出去。共模干扰:线圈与 PCB 接地不良形成共模电流,沿外壳或线缆辐射,在 30MHz - 100MHz 频段易超标。2. 典型问题案例某智能水杯在 150kHz 频段辐射发射达 45dBμV/m(超标 5dB),经排查:①线圈未做屏蔽,磁场直接向外辐射;②线圈与 PCB 的连接导线过长(10cm),形成辐射天线,放大了 2 次谐波干扰。三、线圈屏蔽方案设计1. 磁屏蔽层(抑制低频磁场)材料选择:采用坡莫合金(μr≈80000)或纳米晶带材(厚度 0.1mm - 0.3mm),对 110kHz - 205kHz 磁场的屏蔽效能≥40dB。结构设计:线圈下方铺设完整屏蔽层,面积大于线圈外径 2mm - 3mm,边缘折弯 5mm 形成 “法拉第笼” 结构。屏蔽层与 PCB 接地平面单点连接(避免涡流产生),接地阻抗≤0.1Ω。2. 电磁屏蔽层(抑制高频辐射)材料选择:采用铜箔(厚度≥35μm)或铝箔(厚度≥50μm),表面做抗氧化处理,对 30MHz 以上高频信号屏蔽效能≥30dB。结构设计:覆盖磁屏蔽层外侧,与磁屏蔽层之间保留 0.1mm - 0.2mm 空气间隙(减少涡流损耗)。边缘与磁屏蔽层折弯部分重叠 1mm - 2mm,通过导电胶粘接实现电连接,确保屏蔽连续性。3. 线圈优化辅助措施线圈参数调整:减小线圈匝数(如从 15 匝减至 12 匝),降低工作电流,同时采用 Litz 线(多股细铜线)降低趋肤效应,减少高频损耗及辐射。PCB 布局优化:线圈引线长度≤5cm,采用差分布线(线宽 0.3mm,间距 0.3mm),并在引线两侧铺设接地铜箔,抑制共模干扰。滤波电路:在线圈输入端串联共模电感(1mH@1MHz)和 X 电容(0.1μF),滤除高次谐波,使 2 次谐波在 30MHz 频段衰减≥25dB。四、屏蔽效果验证测试指标:屏蔽后,110kHz - 205kHz 频段的磁场强度在 10cm 处≤2μT;30MHz - 1GHz 辐射发射符合 CISPR 11 Class B 限值(准峰值≤47dBμV/m)。验证方法:通过磁场测试仪(如 3433)和频谱分析仪(如 R&S FSV30)分别测量屏蔽前后的磁场强度和辐射发射,确保干扰降低 30dB 以上。某智能水杯应用上述方案后,150kHz 频段辐射发射降至 38dBμV/m,200kHz 传导发射降至 58dBμV,均满足标准要求,且充电效率仅下降 1.2%(从 78% 降至 76.8%),兼顾了 EMI 性能与充电体验。若需进一步了解屏蔽材料选型细节或特定频段的干扰整改,可随时沟通。

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