超快恢复二极管
TO-252/TO-263/SOD-123FL
针对高频功率电路中不同功率等级与空间需求，这一期我们专门带来 TO-252、TO-263、SOD-123FL 三种封装超快恢复二极管的全面解析，教你选对、用好器件
TO-252
特点
TO-252 封装的超快恢复二极管是一种采用表面贴装工艺的功率半导体器件，具有反向恢复时间短、开关损耗低等特点，适用于高频电路。
反向恢复时间短：一般在几十纳秒级别，较短的反向恢复时间使其能在高频开关电路中快速完成从导通到截止的转换，减少开关损耗，提高电路效率。
低反向漏电：采用硅外延工艺生产，具有较低的反向漏电流，提高了器件的可靠性。
散热性能较好：TO-252 封装带有背部散热焊盘，可通过焊接到 PCB 的大面积铜箔上进行散热，能有效降低芯片温度，适用于中等功率的应用场景。
封装规格
TO-252 为三引脚贴片封装，核心特征是背部带大面积金属散热焊盘，这是器件的主要散热通道。其本体长度典型范围在 6.45–6.70mm，宽度 6.00–6.20mm，大高度 2.19–2.39mm，适配薄型 PCB 设计需求。引脚标准中心间距为 2.286mm，引脚定义通常为 1 脚阳极、2 脚阴极、3 脚阳极，且 3 脚与背部散热焊盘同电位。推荐的 PCB 焊盘设计中，主散热焊盘面积不小于 5×5mm，建议开窗露铜以增强焊接散热效果；引脚焊盘宽度约 1mm、长度约 2.5mm，同时可在主焊盘处增加 2–4 个过孔，连通 PCB 内层铺铜，进一步降低热阻。
选型核心要点
极限参数选型反向重复峰值电压需按电路实际反向峰值电压的 1.2–1.5 倍选取，常见范围在 100V–600V；动态性能选型反向恢复时间是高频应用的关键指标，频率越高越需选择反向恢复时间更短的型号，静态与热特性选型正向电压降尽量选低值，额定电流下典型值在 1.2V–1.7V，压降越低导通损耗越小。
TO-263
特点
TO-263 封装的超快恢复二极管是一种常见的功率半导体器件，具有反向恢复时间短、散热性能好等特点，适用于高频、大功率电路。
反向恢复时间短：一般在几十纳秒（ns）级别，如蓝箭电子的 MURB1040CT，其反向恢复时间为 35ns。这使得它能在高频开关电路中快速完成从导通到截止的转换，有效减少开关损耗。
散热性能好：TO-263 封装有较大的散热焊盘，可直接焊接在 PCB 的大面积铜箔上，能将芯片产生的热量快速散发出去，热阻较低。
封装规格
TO-263 为三引脚贴片封装，核心是背部大面积金属散热焊盘，是器件的主散热路径。
核心尺寸：本体长度约 10.2–10.6mm，宽度约 10.0–10.3mm，大高度约 4.5–4.8mm；引脚标准中心距 2.54mm，适配常规 SMT 工艺。
引脚定义：常见 1 脚阳极（A）、2 脚阴极（K）、3 脚阳极（与散热焊盘同电位），安装时焊盘需与 PCB 铜箔可靠焊接，保障导电与散热。
选型核心要点
极限参数
VRRM：按电路反向峰值电压 1.2–1.5 倍降额，覆盖 100V–1200V。
IF (AV)：实际电流≤额定值（10A–30A）的 0.7 倍，结合占空比与散热核算。
IFSM：需高于启动 / 短路瞬态电流，典型耐受值 100A–400A。
结温 / 存储温度均为 - 55℃~+150℃，匹配应用环境并留裕量。
动态性能
trr：高频（≥50kHz）选≤50ns，超高频可选 25ns 级，降低开关损耗与 EMI。
Qrr：优先选小值，减少反向恢复及与开关管的同步损耗。
di/dt、dv/dt：需满足电路快速开关的瞬态应力需求。
静态与热特性
VF：额定电流下 1.3V–1.8V，选小值降低导通损耗。
IR：额定反压下为 μA 级，高温略有上升，小漏电流可降低待机功耗。
热阻：RθJC 典型 2.0–3.0℃/W；RθJA 与 PCB 铜箔面积强相关，需通过铺铜、过孔优化。
SOD-123FL
特点
SOD-123FL 是一种表面贴装封装的超快恢复二极管，具有体积小、恢复速度快等特点，适用于空间受限的高频电路。超薄型表面贴装封装，适配 1A 左右小功率超快恢复二极管，以紧凑尺寸、低高度适配高密度 PCB 与薄型产品设计，广泛用于低压高频开关电源、DC-DC 转换器、反向保护等场景。
封装规格
SOD-123FL为两引脚超薄贴片封装，核心是扁平低剖面结构，便于自动化贴装与薄型设计。
核心尺寸：本体长度约 2.8±0.1mm，宽度约 1.8±0.1mm，大高度仅 0.9–1.2mm，比标准 SOD-123 更薄。引脚中心间距约 1.27mm，极性由阴极端色环标识，阴极与阳极引脚对称分布。
焊盘与热设计：推荐PCB 引脚焊盘宽约0.8mm、长约2mm，主散热区可设计为 2×2mm 露铜区并开窗；因封装散热能力有限，可在焊盘旁增加1–2 个过孔连通内层铺铜，降低热阻，提升功率承载能力。
选型核心要点
极限参数
VRRM：按电路反向峰值电压 1.2–1.5 倍选取，覆盖 50V–600V。
IF (AV)：额定 1A，实际电流≤额定值 0.7 倍，结合占空比与散热核算。
IFSM：需高于启动 / 短路瞬态电流，典型耐受值 30A–50A。
结温 / 存储温度均为 - 55℃~+150℃，高温应用留足裕量。
动态性能
trr：典型 25–50ns，≥100kHz 高频场景优先选≤35ns 型号，降低开关损耗与 EMI。
Qrr：选小值，减少反向恢复及驱动同步损耗。
di/dt、dv/dt：需满足电路快速开关的瞬态应力需求。
静态与热特性
VF：1A 额定电流下 1.3V–1.7V，选小值降低导通损耗。
IR：额定反压下为 μA 级，高温略有上升，小漏电流可降低待机功耗。
RθJA：典型 80–120℃/W，与 PCB 铜箔面积强相关，需结合功耗计算结温。
从 TO-252 的均衡适配，到 TO-263 的大功率承载，再到 SOD-123FL 的小体积优势，三款封装各有所长。选对器件，才能高效赋能电路设计。期待与您的合作！
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