韩国科学技术院（KAIST）于1月30日正式宣布，其研究团队成功开发出兼具高效率与超高解析度的红色微LED显示技术。相关研究成果已于1月20日刊登在国际**学术期刊《Nature Electronics》上，标志着该领域关键技术取得重大突破。
微LED作为下一代显示技术的核心，其发光单元直径小于发丝，在亮度、寿命及能效方面普遍被认为优于当前的有机发光二极管（OLED）。然而，红色微LED长期面临两大瓶颈：一是像素尺寸缩小导致能量泄漏，效率急剧下降；二是传统机械式逐个转移工艺难以实现超高解析度，且良率低下。这些问题严重制约了红色微LED在高端显示领域的应用。
针对上述难题，KAIST电气工学部金尚贤（Sanghyeon Kim）教授团队采用了创新的AlInP/GaInP量子井结构。该结构通过优化量子井与势垒设计，将电子与空穴有效限制在井层内，显著抑制了载流子泄漏。同时，团队利用高浓度空穴的量子井设计，即便在像素尺寸大幅缩小的情况下，也能有效降低能量损耗，从而实现了高效率的红色微LED。
在制造工艺上，研究团队摒弃了传统的单颗转移方式，转而引入单片3D（Monolithic 3D）集成技术，直接将LED层堆叠在驱动电路上。这一创新不仅将位置对准误差降至最低，还通过开发的低温工艺保护了电路免受损伤，大幅降低了缺陷率。最终，团队成功验证了像素密度高达1700PPI的超高解析度微LED显示屏，其解析度约为当前主流智能手机的3至4倍。
金尚贤教授表示，该研究同时解决了微LED领域红色像素效率与电路集成的长期难题，未来将致力于推动其作为下一代显示平台的实用化落地。对于中国显示产业而言，韩国在微LED单片集成与材料结构上的突破，提示国内企业需加速从“转移工艺”向“单片集成”的技术路线转型，以应对未来超高清显示市场的激烈竞争。