无锡力普半导体有限公司（简称“力普”）近日宣布完成数亿元人民币的Pre-B+轮融资，新投资方包括扬州国金与扬州龙头资本。这笔资金将主要用于在扬州建设专业的汽车级碳化硅（SiC）模块封装测试基地，并加大市场推广力度。作为一家成立于2019年的硬科技企业，力普专注于第三代功率半导体SiC模块的设计、生产与销售。
功率半导体是电力转换的核心器件。相较于传统IGBT模块，SiC模块具备耐高压、低损耗、高开关频率等显著优势，在新能源汽车主驱、超快充、储能、电网设备及AI计算电源等高压大功率场景中，能效表现更为优异。近年来，随着上游衬底和外延产能的快速扩张及成本下降，中高端市场IGBT向SiC的替代进程正在加速，SiC功率器件的年复合增长率已超30%。
力普创始人兼CEO丁玄明介绍，其SiC模块在高温、高压、大电流等复杂场景下的应用已实现稳定量产，客户涵盖领先的电网设备商、新能源重卡企业及变压器龙头企业。公司计划在2026年进一步拓展上述市场，并与更多行业**企业建立战略合作。除了新能源领域，AI数据中心被视为SiC应用的下一个重要增长极。随着算力需求激增，数据中心对供电效率和空间利用率提出更高要求，基于SiC器件的固态变压器（SST）作为实现高压直流架构的核心设备，能显著提升能效并缩小体积，是未来电力架构升级的主流方向。
目前，力普多款电压覆盖1200V至3300V的SiC模块已在多家国内外知名客户的SST项目中完成样品测试，部分项目处于可靠性验证阶段，预计2027年将迎来产量的显著增长。在海外市场方面，力普同样表现强劲，2020年在日本设立全资子公司作为海外研发中心，汇聚多位**日本技术专家，并在欧洲设立销售服务中心。目前产品已出口至20多个国家，预计2025年海外销售占比将接近一半。
技术创新是力普的核心战略。公司在高可靠性封装材料和工艺上拥有多项专利，是国内最早采用自研高导热环氧灌封SiC模块的厂商之一。通过与供应商联合定制高散热绝缘基板材料，并引入ArcBonding等先进芯片键合技术及内部叠层母排设计，有效降低了模块杂感，提升了功率密度与散热能力。无锡工厂于2022年投产，年产能约70万片，产品已通过IATF16949汽车质量体系认证，覆盖IGBT与SiC两大系列，广泛应用于新能源车、重卡、储能及工业电源等领域。
本轮融资后，力普将在扬州布局多条汽车级SiC模块自动化封装测试产线，项目总投资达10亿元，规划年产能300万片。一期产线预计2026年完工，2027年3月正式投产。新工厂将严格对标高端汽车标准，建立独立于IGBT产线的专用SiC产线，实现全自动化组装，并支持新一代嵌入式封装结构及客户定制化开发。预计2027年扬州基地将具备年交付超200万片模块的能力，有力支撑力普在电网与AI算力基础设施领域的布局。
对于中国半导体行业而言，力普的融资与扩张路径表明，第三代半导体正从单一的新能源汽车应用向AI算力基础设施等更广阔的领域渗透，具备“车规级”品质与定制化能力的企业将在算力基建浪潮中占据先机。