美国光通信巨头Source Photonics近日正式推出业界首款200G/通道多通道磷化铟（InP）集成光子电路（PIC），这一突破性产品旨在解决超大规模数据中心与人工智能集群对高速、低功耗光互连的迫切需求。该芯片基于单片集成技术，能够支持强度调制直接检测（IMDD）传输，峰值速率高达1.6 Tbps，并为未来3.2 Tbps的演进奠定了坚实基础。
InP材料因其优异的高频特性，成为构建高速光芯片的核心材料。此次推出的芯片将DFB激光器与调制器集成在同一衬底上，这种单片集成方案不仅大幅简化了光收发器的设计与制造流程，还显著降低了驱动电压（Vpp），同时保持了极高的带宽性能。这种设计特别适用于校园内数据中心互联及数据中心之间的互连场景，有效应对了高密度部署下的散热与可靠性挑战。
在能效方面，该芯片展现了卓越优势，被认为是目前市场上能效比最高的1.6 Tbps光收发器解决方案之一。这对于依赖线性驱动光模块（LPO）和重定时光模块的超大规模数据中心至关重要，能够显著降低运营能耗并优化热管理。Source Photonics与多家关键技术伙伴合作，已在真实的数据中心集群及AI/机器学习系统中完成了产品性能与可靠性的全面验证。
据悉，Source Photonics计划在2025年光纤通信大会（OFC 2025）上现场演示这款基于InP技术的IMDD收发器，向行业展示其实际性能与潜力。随着全球光互联技术向400 Gb/s/通道迈进，该产品的问世为下一代IMDD光互连架构提供了强有力的技术支撑。
对于中国光模块厂商而言，Source Photonics在InP单片集成与低功耗设计上的突破，预示着未来光芯片将向更高集成度与更优能效比发展，这为中国企业在高端光芯片自研及AI算力基础设施建设中提供了重要的技术参考方向。