西班牙半导体企业CISSOID近日宣布推出专为电动出行领域设计的新型三相等效碳化硅（SiC）智能功率模块（IPM）。作为在高温半导体领域深耕多年的企业，CISSOID此次推出的解决方案旨在满足汽车与工业市场对高效能、高可靠性功率器件的迫切需求。
该IPM平台采用一体化设计，集成了水冷式三相等效SiC MOSFET模块与内置门极驱动器。通过优化电气、机械及热管理设计，该方案显著缩短了电动汽车及电机制造商采用SiC逆变器的上市周期，助力其快速实现更高效、更紧凑的电机驱动系统。
作为该平台的首款产品，这款1200V/450A的三相等效SiC MOSFET IPM表现卓越。其导通电阻低至3.25mΩ，开关损耗极低，在600V/300A工况下，开启能量仅为8.3mJ，关闭能量为11.2mJ。相比最新一代IGBT模块，其损耗降低了至少3倍。模块采用轻质基板与AlSiC引脚的水冷设计，结到流体的热阻仅为0.15°C/W，最高结温可达175°C，绝缘耐压高达3600V。
内置门极驱动器集成了三相独立隔离电源，每相可提供高达5W的功率，支持模块在高达125°C的环境温度下以25kHz频率运行。10A的最大门极电流及超过50KV/µs的高dV/dt抗扰度，确保了快速开关与低损耗。此外，模块还具备欠压锁定、有源米勒钳位、去饱和检测及软关断等多重保护功能，保障极端工况下的安全运行。
CISSOID首席执行官Dave Hutton表示，快速开关SiC模块的开发与可靠驱动仍是行业挑战，该IPM是多年技术积累的结晶，将有力支持汽车行业向高效电动出行转型。对于中国新能源汽车产业链而言，这一集成度高、损耗极低的SiC解决方案，为提升电驱系统效率与功率密度提供了新的技术参考，值得密切关注其量产后的市场表现与应用案例。