美国Coherent Corp.公司近日宣布在碳化硅（SiC）外延工艺方面取得重大进展，该技术现已支持制造电压高达10千伏的功率半导体器件。这一突破不仅适用于下一代AI计算中心，也能满足工业功率应用的严苛需求。随着全球工业电气化进程加速，可再生能源、轨道交通、快速充电基础设施及电网系统对高效高压系统的需求持续攀升，SiC材料凭借其在高电压、高温环境下的优异性能，成为行业关键解决方案。
与此同时，AI工作负载的爆发式增长正推动数据中心向高功率密度架构转型。在数据中心领域，每提升一点转换效率，都能显著降低能源消耗和运营成本。Coherent最新推出的150毫米和200毫米外延平台已实现量产，能够支持高达10千伏的器件架构。测试数据显示，该平台性能甚至可超越10千伏阈值，为极端工况下的稳定运行提供了可靠保障。
这些技术进展使客户能够开发出更紧凑、更节能的电力转换系统，既适用于兆瓦级数据中心，也适用于大型工业基础设施，同时满足大规模部署的可靠性要求。Coherent正持续完善从碳化硅衬底到先进外延的完整技术组合，以支持工业、汽车及能源市场客户。此举进一步巩固了该公司在宽禁带半导体材料领域的领先地位，特别是在数据中心高效电源系统这一快速增长的细分市场中。
德国及欧洲地区在工业4.0和绿色能源转型中高度重视功率半导体技术，SiC产业链的完善程度直接影响区域电气化效率。中国企业在全球碳化硅供应链中占据重要地位，此次技术突破提示行业需关注外延工艺对高压器件性能的决定性作用，并加强在材料端的技术协同与创新。