日本材料技研开发宽温域负热膨胀材料BNFO-WT

发布时间:2026-03-30 07:29  点击:1次

日本材料技研株式会社近日宣布,成功开发并上市一种名为BNFO-WT的新型负热膨胀材料。该材料专为电子器件设计,能够在40℃至150℃的宽温度范围内保持稳定的负热膨胀特性,有效解决了传统材料在温度变化时体积难以控制的行业难题。

BNFO(BiNi1-xFexO3,即铋镍铁氧化物)是一种具有革命性特性的功能材料。与一般材料受热膨胀不同,BNFO在特定的相变温度区间内会表现出显著的负热膨胀效应,即温度升高时体积反而收缩。在电子元件、精密机械等产业领域,因发热导致的材料膨胀一直是影响产品可靠性的关键因素,而过去市场上缺乏能够有效调控这种膨胀的替代材料。BNFO的出现,为精密树脂成型部件、导电浆料及粘合剂等多种应用场景提供了全新的解决方案。

此次推出的BNFO-WT08型号,通过**控制多种元素的添加比例及成分结构,成功缓和了温度变化引发的相变行为波动。该材料在从常温到高温的连续区间内,均能展现出稳定的负热膨胀特性,使得单一材料即可覆盖电子器件广泛的使用温度需求。这一技术突破并非孤立成果,而是源于日本材料技研与东京科学大学及KISTEC(日本科学技术振兴机构)的产学研合作。项目由东正树教授、西久保匠特定助教及KISTEC常勤研究员主导,利用贝叶斯优化算法辅助材料发明,日本材料技研则负责将其转化为可工业制造的成熟工艺。

日本作为全球精密制造和电子产业的重镇,对材料的热稳定性要求极高。随着5G通信、新能源汽车及高密度集成电路的发展,日本本土企业正加速推动新型功能材料的商业化落地。日本材料技研自2015年成立以来,专注于功能材料事业,此次宽温域BNFO的推出,标志着其在热管理材料领域的工业化进程迈出了关键一步,有望填补日本在高端热膨胀控制材料方面的供应链缺口。

对于中国电子制造及新材料行业而言,这一进展提供了重要的技术参考。随着国产芯片及精密组件对热管理要求的提升,开发具备自主可控特性的负热膨胀材料已成为行业趋势。中国企业在跟进此类前沿技术时,可借鉴其产学研深度融合的模式,加强与高校在材料基因工程及算法优化方面的合作,加速从实验室发现到规模化生产的转化,以应对日益复杂的电子器件热可靠性挑战。

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