一、什么是半导体激光保护液?
1.1材料类型定位
半导体晶圆激光切割保护液(Wafer Laser Dicing Protective Fluid)是一种专用于晶圆激光划片工艺的水溶性临时保护涂层,属于半导体封装前道工序专用湿化学品。在激光切割(包括隐形切割、烧蚀切割、激光开槽辅助切割等)过程中,高能量密度的激光束与晶圆材料相互作用,会产生高温熔融物、气化烟尘及微细碎屑。这些污染物如直接落在晶圆的功能区域(如芯片表面、金属焊盘、钝化层)上,会导致芯片表面划伤、金属腐蚀、后续贴片或引线键合不良,甚至直接报废。

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亦盛科技针对以上技术难题,研发了用于激光切割的保护液,本产品可以在晶圆、硅晶片、陶瓷基板表面等工件表面,快速形成一层保护膜,及时分散热量,防止工件裂纹、崩边及表面灼伤,杜绝切割面出现邮票边缘一般的凹凸,工件表面无熔渣残留,降低切边热损伤,提高加工质量,加工精度高,切割面光滑平整无毛刺,切割缝隙窄,并防止透镜被飞溅物和烟尘附着而损坏。
1.2核心技术原理:
①形成保护与捕获碎屑:溶液被涂覆于晶圆表面后会快速成膜。其“软嵌入”机制可在激光切割飞溅的碎屑撞击时,将其动能吸收并包裹于膜层内,阻止其反弹破坏晶圆表面并污染光学镜片;
②散热与调节激光:保护膜作为热缓冲层,能有效吸收并扩散切割产生的热量,降低热影响区(Heat Affected Zone, HAZ),同时,膜层对激光保持高度透明,不影响切割能量传输。
③耐受冲击与易清洗:亦盛科技研发团队通过分子设计,使保护膜具备高激光损伤阈值,在承受持续冲击时能保持完整。切割完成后,使用去离子水即可将保护膜与碎屑一并彻底去除,恢复晶圆的原始洁净度。
二、性能介绍
亦盛科技半导体晶圆激光切割保护液以高分子水溶性体系为基础,核心性能指标如下:

三、使用情景

四、关键功能及收益
除了核心的保护功能,该材料还提供了一系列保障切割良率和效率的关键价值:
防止崩裂:有机保护膜能吸收和缓冲激光冲击波,防止晶圆边缘崩裂或介电层剥离,确保芯片结构完整。
润滑防氧化:降低切割工具与晶圆的摩擦,减少热应力与表面缺陷。同时内置缓蚀剂可防止高温导致金属线路氧化,保障电性良率。
高洁净稳定性:全合成配方确保极低泡沫,避免表面残留。保护膜本身耐高温,防止热固着问题,同时良好的水溶性保证清洗后无残留。
减少附着:通过低表面张力快速浸润晶圆表面,减少微颗粒附着风险,确保切割面光滑无污染。
五、使用案例1:ASM 1205

(使用亦盛激光保护液切割后的效果,具体数据可联系销售顾问了解)
使用案例2:德龙激光切割设备

(激光半切,芯片正面、侧面、背面均无残胶和灼伤)
使用案例3:大族激光切割设备

(LED切割,激光切割槽宽合适,无残胶和灼伤,对电性影响小)
六、亦盛科技技术能力与品质保障
激光透过率精 准调控:通过高分子侧基设计,使保护液在355nm—1064nm宽波段内均保持≥95%透光率,且膜层在多次激光脉冲下不发生碳化或交联,确保切割能量稳定传输。
高捕获率碎屑锁定技术:自主研发的“软嵌入”机制,使飞溅颗粒在撞击膜层时被瞬间减速并包裹,而非反弹。第三方测试表明,对粒径0.5—20μm的硅、金属氧化物颗粒捕获率达96%以上。
半导体级洁净生产:产品在无尘环境中配制、过滤及灌装。颗粒物(≥0.3μm)<30个/mL,每批次提供全项检测报告(CoA),支持批次追溯。
客户验证:已在国内12英寸逻辑代工厂、6英寸SiC器件产线及先进封装厂的激光切割工序中完成批量验证,累计保护超过200万片晶圆,客户反馈清洗后表面颗粒数稳定低于50颗/晶圆。
七、产品资源与垂询通道
???? 产品技术参数表(TDS)下载:包含三个类型(高粘、中粘、低粘)的完整理化指标与透光率曲线
???? 安全数据表(SDS)下载:成分说明、安全操作及废液处理指南
???? 涂覆工艺参考指南:针对不同晶圆尺寸、材质和切割工艺的推荐旋涂/喷涂参数及烘烤条件
???? 样品申请与技术支持:提供2英寸、4英寸或6英寸晶圆涂覆测试样品,FAE工程师可协助制定清洗验证方案
❓ 常见问题(FAQ) :涵盖保护液储存稳定性、稀释方法、与光刻胶或临时键合胶的兼容性、清洗验证方法等
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