半导体XRD薄膜测试 AlGaN材料XRD多少

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AlGaN材料XRD单晶XRD测试——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。

EDS,XRD和XPS进行成分分析的相同点和不同点是什么


其主要功能及应用有三方面:,可提供物质表面几个原子层的元素定性、定量信息和化学状态信息;第二,可对非均相覆盖层进行深度分布分析,内蒙古自治AlGaN材料XRD,了解元素随深度分布的情况;第三,AlGaN材料XRD费用多少,可对元素及其化学态进行成像,给出不同化学态的不同元素在表面的分布图像等。

  XRD (X射线物相定性分析):用X射线衍射数据对样品中存在的物相(而不是化学成分中的元素构成)进行鉴别。测定结晶情况,晶相,晶体结构及成键状态等等;可以确定各种晶态组分的结构和含量。




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X射线衍射中,Kα,Kβ具体意义


X射线管发生出来的不是纯净的单色光,包含多种波长的射线,主要的是K系射线。K系射线是指阴极电子碰撞阳极,使阳极电子产生K 激发,击走K 层电子后,L层或M 层电子填充K 层电子而产生的X 射线。

K 系射线又可以细分为 Kα(L 层电子填充)和 Kβ(M 层电子填充)两种波长略有差异的两种射线。而 X 射线衍射仪要求使用单色 X 射线。因此,需要在 XRD 测试时把后者除掉,传统的方法是在光路上加入一个滤波片(如 Ni)。现在一般使用铜靶,在光路上增加一个石墨晶体单色器来去除 Kβ射线。单色器可以去除衍射背底,也可以去除 Kβ射线的干扰。Cu的特征谱线波长为:Kα1(1.54056 ?),Kα2 (1.54439 ?),Kβ1 (1.39222 ?)。对于铜靶,AlGaN材料XRD服务,Kα波长取Kα1与Kα2的加权平均值,其值为1.54184 ?(布拉格方程和谢乐公式中的λ)。




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3、游离二氧化硅的测定方法

目前中国和世界上多数国家都是以焦磷酸重量法作为分析粉尘中游离SiO2的基础方法,不过如果粉尘中含有无定型的二氧化硅,则无法使用焦磷酸检测粉尘中的游离二氧化硅(结晶二氧化硅)含量,而只能通过红外分光光度法和X射线衍射法来确定其中的游离二氧化硅的含量。红外分光光度法和X射线衍射法普遍适用于各种粉尘中游离二氧化硅(结晶二氧化硅)含量检测。这也是化组织(ISO)和美国国家职业安全卫生研究所(NIOSH)采用红外分光光度法、X射线衍射法测定分成中游离二氧化硅的原因。




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