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- 发布时间
- 2022-10-15 02:44:14
XRD掠入射(GIXRD)检测单晶XRD测试——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,XRD掠入射(GIXRD)检测价格,以及行业应用技术开发。
xrd操作步骤
样品准备:
样品在实验前应磨成平滑去氧化的表面,XRD掠入射(GIXRD)检测平台,并用酒精清洗,若用样品是粉末,均匀平铺粘在胶布上。
设备的操作步骤如下:
1.开实验室电源,包括实验室总电源,三相电源,仪器电源及冷却循环水电源等。
2.打开控制软件:打开计算机,打开桌面的“XG Operation” , 进入“XG control RINT2200 Target:Cu” 窗图。
3.测试样品放置: 压好样品后,把样品放入仪器前,一定要按仪器面板上的“DOOR OPEN”!直到听见断续的“哔、哔、…”蜂鸣声,才可以打开仪器的铁门放置样品,取出样品同样操作,否则,黑龙江XRD掠入射(GIXRD)检测,X的光会伤害人体!且损害仪器。
4.仪器对样品测试: 打开右系统样品测试控制软件:双击桌面的:“Standard measurement”,进入Standard measurement[Right]窗,注意此窗的Use列:Yes则用此行的测量条件,要求此列别的均为”No”;改好路径名(Folder name)以及文件名(File name);双击Condition列对应行的数字格,XRD掠入射(GIXRD)检测测试,则进入该行的测量条件选择,按需求设置好各参数后,点击键,进入执行测量。
5.关机过程:按要求关闭控制软件,过 10分钟后 才能关冷却循环水电源:按“停止”。
后关计算机、空调、水。搞好卫生、带走废液,关好窗、门 (因为房间要抽湿,通常不用关总电源)。
欢迎来电咨询科学院半导体研究所了解更多信息~XRD掠入射(GIXRD)检测
XRD掠入射(GIXRD)检测单晶XRD测试——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
在金属中的主要应用有以下方面:
物相分析 是X射线衍射在金属中用得多的方面,又分为定性分析和定量分析。定性分析是把对待测材料测得的点阵平面间距及衍射强度与标准物相的衍射数据进行比较,以确定材料中存在的物相;定量分析则根据衍射花样的强度,确定待测材料中各相的比例含量。
取向分析 包括测定单晶取向和多晶的结构(如择优取向)。测定硅钢片的取向就是一例。另外,为研究金属的范性形变过程,如孪生、滑移、滑移面的转动等,也与取向的测定有关。
晶粒(嵌镶块)大小和微观应力的测定 由衍射花样的形状和强度可计算晶粒和微应力的大小。在形变和热处理过程中这两者有明显变化,它直接影响材料的性能。
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薄膜测试xrd怎么计算x射线入射的深度
谢勒公式D=kλ/FWHM cosθ计算
D:晶粒尺寸(不叫离子尺寸的)
k:0.89
λ:XRD测试的x射线的波长,一般分kα1和kα2,具体用那种需要问测试老师。
FWHM:半高宽
θ:衍射角
具体方法:选定强的衍射峰,测量其衍射角和半高宽(可用jade读取),然后带入公式计算即可。
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