AlGaN材料XRD检测报告 半导体XRD物相分析

AlGaN材料XRD检测单晶XRD测试——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

X射线分析的新发展

金属X射线分析由于设备和技术的普及已逐步变成金属研究和材料测试的常规方法。早期多用照相法，这种方法费时较长，强度测量的度低。50年代初问世的计数器衍射仪法具有快速、强度测量准确，并可配备计算机控制等优点，已经得到广泛的应用。但使用单色器的照相法在微量样品和探索未知新相的分析中仍有自己的特色。从70年代以来，随着高强度X射线源（包括超高强度的旋转阳极X射线发生器、电子同步加速辐射，高压脉冲X射线源）和高灵敏度探测器的出现以及电子计算机分析的应用，使金属 X射线学获得新的推动力。这些新技术的结合，广东AlGaN材料XRD检测，不仅大大加快分析速度，提高精度，而且可以进行瞬时的动态观察以及对更为微弱或精细效应的研究。

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XRD同一种杂质在不同试样检测中峰位置不一样

杂质在不同试样出峰不一定一样，杂质有自己的特征峰，特征峰里有强峰也有弱峰，XRD测试图谱中，杂质在试样里不一定会出强特征峰，但是一般会出一些特征峰，对比杂质的特征峰可以判断杂质存在与试样中。通过特征峰只能证明杂质的存在，AlGaN材料XRD检测测试，不能看出含量多少，要测含量多少还得做进一步测试，比如XRF或元素分析。

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薄膜测试xrd怎么计算x射线入射的深度

谢勒公式D=kλ/FWHM cosθ计算

D：晶粒尺寸（不叫离子尺寸的）

k：0.89

λ：XRD测试的x射线的波长，AlGaN材料XRD检测价格，一般分kα1和kα2，具体用那种需要问测试老师。

FWHM:半高宽

θ：衍射角

具体方法：选定强的衍射峰，测量其衍射角和半高宽（可用jade读取），然后带入公式计算即可。

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