4英寸导电型碳化硅晶锭 N型碳化硅衬底晶片

目前，市场主流为6英寸碳化硅晶片，且向8英寸碳化硅衬底发展，苏州恒迈瑞材料科技仍可为有需求的客户生产供应4英寸导电型碳化硅晶锭及碳化硅衬底，价格优惠，规格齐全，欢迎客户来电询价。

碳化硅（SiC）是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ组元素中唯一的稳定固态化合物, 是一种重要的半导体材料。 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质, 不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一，也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。苏州恒迈瑞公司目前用于衬底的碳化硅以4H为主，导电类型分为半绝缘型（非掺、掺杂）与N型。 

4H SiC 和 6H-SiC 的电性能也因其晶体结构而不同， 4H-SiC与 6H-SiC 相比，4H-SiC 具有更高的电子迁移率， 使其成为高频和大功率设备的理想选择。另一方面， 6H-SiC 表现出较低浓度的深能级缺陷，使其适用于需要载流子复合率低的高质量衬底的应用。