半导体材料 硅柱材料刻蚀工艺 浙江材料刻蚀工艺

材料刻蚀工艺——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

由于离子垂直射向表面，垂直方向的蚀刻速率收到了显著的增强，

此外由于离子与沟槽底面发生显著的相互作用，优先地移除了阻碍反应发生的副产物，

与此同时，侧墙上的沉积物/副产物降低了侧墙上的化学刻蚀速率，使刻蚀形貌接近垂直.

各向异性获得的垂直角度在半导体制造工艺中定义稠密图形（细栅）时是极为重要的

RIE中的各向异性蚀刻获得的角度与离子流的能量，角度分布和副产物的钝化性能间的平衡直接相关

入射离子能量和角分布与电场释放出朝向衬底的离子直接相关，氮化硅材料刻蚀工艺，

更低的压力和更高的衬底偏置是控制离子能量（增加）和角度分布（较少）的关键

CxFy聚合物是一种常见的蚀刻气体

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Si3N4刻蚀：

在903E刻蚀机中刻蚀，刻蚀机内通入的气体有：CF4、NF3、He。

刻蚀机理是： CF4电离→CF3 F*（氟自由基）

CF3电离→CF2 F*

CF2电离→CF1 F*

12F* Si3N4→3Si F4↑ 2 N2↑

氟游离基的作用是使氮化硅被腐蚀，生成物是气体，被真空装置抽气抽走。为了加快腐蚀速率可以在CF4中加入少量氧气（5%-8%），因为氧能够抑制F*在反应腔壁的损失，并且：CF4 O2→F* O* COF* COF2 CO …… （电离）

COF*寿命较长，当它运动到硅片表面时发生以下反应从而加速了腐蚀速率：

COF*→F* CO （电离）

但是氧气加多了要腐蚀光刻胶降低选择比。

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MEMS材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，硅柱材料刻蚀工艺，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

在半导体器件制造中，氮化镓材料刻蚀工艺，蚀刻是指选择性地从衬底上的薄膜去除材料并通过这种去除在衬底上创建该材料的图案的技术。该图案由一个能够抵抗蚀刻过程的掩模定义，其创建过程在光刻中有详细描述。一旦掩模就位，浙江材料刻蚀工艺，就可以通过湿化学或“干”物理方法蚀刻不受掩模保护的材料。

从历看，湿化学方法在用于图案定义的蚀刻中发挥了重要作用，随着器件特征尺寸的减小，表面形貌变得更加关键，湿化学蚀刻让位于干蚀刻技术。这种转变主要是由于湿蚀刻的各向同性。

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