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- 顶旭（苏州）微控技术有限公司
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- 发布时间
- 2023-10-28 10:06:19
使用方法
该设备操作简单，易于上手，具体操作如下：
一、曝光前准备工作
1、硅片处理：确保待曝光硅片经过匀胶处理，表面干净平整，没有明显的污渍或破损。
2、选择光刻板：根据项目需要，选择合适尺寸的光刻板，本设备兼容4英寸、5英寸或6英寸。
3、设备检查：仔细检查设备，确保所有部件处于正常工作状态，确保操作环境良好。
二、曝光操作步骤
1、安装硅片：将待曝光硅片平放在设备的载台上，确保位置准确。
2、放置光刻板：将光刻板平放在硅片上方，如果使用菲林掩膜，需要在其上方放置透明玻璃以保持平稳。
3、设定曝光参数：使用控制面板设置曝光时间和强度，根据具体需求进行调整。
3. SU8模具制备流程
一、备片
从化学品存放区取出清洁的硅片（确保硅片表面无尘）。
匀胶
1）打开匀胶机，将硅片放置在匀胶机托盘上，打开真空开关，确保硅片固定在托盘上不动；
将SU8光刻胶滴在硅片中间，根据光刻胶的厚度和制备要求设置匀胶机转速和时间。（举例说明：目标胶厚度50um，光刻胶型号：SU8-2075，1段500转8s，显影机，2段1800转30s）
三、前烘
1）将涂布好SU8光刻胶的硅片放置在热板上，进行预热烘烤，去除光刻胶中的挥发性有ji溶剂，时间和温度根据光刻胶厚度进行调整。（举例说明：目标胶厚度50um ，设置温度65℃，烘烤15min，然后温度95度，烘烤15分钟）
四、曝光
1）将预热后的硅片放置在桌面光刻机托盘上。
2）使用相应的掩模（掩膜）放置在硅片上进行曝光，曝光时间和强度根据SU-8光刻胶的类型和厚度进行调整。（举例说明：目标胶厚度50um，设置曝光能量25mw/cm2，时间12s）
五、后烘
将曝光后的硅片放置在热板上，进行后曝光烘烤，以确保光刻胶的交联反应完成。（举例说明：目标胶厚度50um，设置温度65℃，烘烤7min，然后温度95℃，烘烤3min）
六、显影
将硅片放入显影剂中，使未曝光部分的光刻胶溶解，形成模具的图案。（显影时间根据光刻胶厚度和显影剂浓度进行调整，此处显影时间20min）
七、清洗
将显影后的硅片用异bing醇溶剂进行清洗，去除多余的光刻胶。
八、检查
使用显微镜检查制备的SU-8模具，测试观察制备的微结构尺寸，确认图案的清晰度和质量。