半导体退火炉 硅片退火炉 青岛晨立

一、设备结构:
1、操作方式:左(右)手操作方式
2、硅片尺寸:圆形6寸片
3、工艺布局:满足客户工艺要求

4、外形:主机1台，主机架为卧式两管。

5、自动化程度:工控机控制系统自动控制工艺流程
6、送取片方式:手动进出舟。

二、主要技术参数:
1、加热炉管有效口径:满足6英寸硅片。可向下兼容5寸和4寸硅片。
2、工作温度范围:上管:600~1400℃
           下管:200~500℃
3、恒温区长度及精度:600mm，
             上管:800-1400℃.±0.2℃/24h
             下管:200-500℃.±0.2℃/24h
4、控制方式:由工控机统一管理工艺
5、气路设置:每管两路气体:氮气100L/min.氩气100L/min。均采用MFC自动控制流量大小。