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- 优尔鸿信检测技术(深圳)有限公司
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- 2026-09-03 09:07:36
在材料微观表征领域,截面样品的制备质量直接决定了检测结果的准确性。传统机械切割、研磨抛光的方式易引入形变、划痕、相位变化等制样损伤,面对软质、脆性、非均质材料时更是难以获得理想截面。
三离子束切割制样技术的出现,解决了高质量截面制备难题,成为 SEM、EBSD、EDS 等高精度微区分析的前处理技术。
三离子束切割制样的优势
三离子束切割制样通过三把氩离子枪汇聚形成轰击扇面,从样品侧面对目标区域进行刻蚀剥离,获得平整、无机械损伤的截面,优势体现在以下四点:
1. 制样损伤低
离子束轰击属于无接触式刻蚀,不会对样品施加机械应力,可有效避免形变层、微裂纹、孔隙坍塌等制样损伤,Z大程度保留样品内部真实的微观结构,是 EBSD、晶界分析、缺陷表征等检测的理想制样方式。
2. 适用范围广
无论是硬质的金属、陶瓷、半导体,还是软质的聚合物、橡胶、生物组织,亦或是多孔、热敏、非均质复合材料,都可以通过三离子束切割制备出高质量截面。
3. 大尺寸平整截面
三离子束协同轰击可制备宽度大于 4mm、深度大于 1mm 的宽幅平整截面,相比普通单 / 双离子束设备,切割区域更大、平整度更高,可满足大面积扫面、多点位分析的检测需求。
4. 微米级定位
配合高清光学观察系统,可实现 ±2μm 的样品定位精度,能够对准芯片内部结构、涂层界面、缺陷位置等微小目标区域进行定点切割,大幅提升制样成功率,尤其适合失效分析与微小器件检测。
三离子束制样 VS 传统制样对比
对比维度 | 传统机械研磨抛光 | 普通单 / 双离子束抛光 | 三离子束切割制样 |
制样原理 | 机械接触式研磨剥离 | 单 / 双离子束正面轰击 | 三离子束侧面刻蚀 |
制样损伤 | 高,存在形变层与划痕 | 较低,适合表面抛光 | 极低,无机械应力损伤 |
截面尺寸 | 大但平整度差 | 小,适合小区域抛光 | 大(>4×1mm)且平整度高 |
适用材质 | 仅适配中高硬度材料 | 适配硬质材料 | 几乎适配所有材质 |
定位精度 | 差,难以定点切割 | 一般 | 高,±2μm 定点切割 |
制样效率 | 快但合格率低 | 慢,切割深度有限 | 快,研磨速率可达 150μm/h |
哪些场景推荐选择三离子束切割制样?
1. 半导体与电子元器件失效分析
芯片、封装器件、PCB 板的失效定位,金线接点、焊球、TSV 结构的截面观察,需要高精度定点切割与无损伤截面,三离子束制样是优选方案。
2. EBSD 等晶体学分析样品制备
EBSD 分析对样品表面平整度、应力损伤要求极高,传统机械抛光易产生形变层导致标定率低,三离子束切割制备的截面无应力损伤,可显著提升 EBSD 标定质量。
3. 非均质复合材料界面分析
涂层、层状材料、复合材料的界面结合状态、层厚、界面缺陷分析,三离子束制样可避免不同硬度相的差异化磨损,清晰呈现界面真实状态。
4. 软质、脆性、热敏等特殊材料制样
橡胶、纤维、陶瓷、矿物等传统制样难以处理的样品,通过三离子束切割均可获得高质量截面。
优尔鸿信检测提供三离子束切割制样服务,拥有徕卡高端设备与技术团队,可针对不同样品定制优制样方案。如果您不确定自己的样品是否适合三离子束制样,可联系优尔鸿信免费评估制样可行性。