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- 2024-09-30 12:15:25
碳化硅同质外延片是一种宽禁带半导体材料,主要性能有:禁带宽度大、临界击穿电场高、高热导率、高电子饱和迁移速度等。主要应用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体器件等方面。
SiC碳化硅是继硅、砷化镓等第一、二代半导体之后的第三代新型半导体材料。它具有传统材料所不具备的各种优异特性,用碳化硅外延片制作的电子电力器件,将给电子电力行业带来革命性的变化,碳化硅外延片产品可广泛应用于国民经济各个领域,如空调、高效电机、太阳能及风力发电、混合及纯电动汽车、高铁、职能电网、航天航空等。
SiC作为一种宽带隙的半导体材料,同时还具有较宽的工作频带,(0~400GHz),加之其优异的高温特性,高击穿电场,高热导率和电子饱和速率等特性,在微波通讯领域也占有一席之地。实现了通讯器件的高效能,高机动,高波段和小型化的,特别是在X波段以上的T/R组件,5G通讯基站中的应用备受关注。