碳化硅晶锭供应商 6英寸SiC晶锭

D级测试碳化硅晶锭生产商恒迈瑞专注于4英寸至8英寸SiC碳化硅晶锭生长，提供导电N型碳化硅晶锭及高纯半绝缘型SIC晶锭，单根晶锭厚度约20mm，国内外客户采购测试级碳化硅晶锭晶体，可用于金刚石减薄砂轮，冷切割激光设备等测试。欢迎测试需求的国内外客户与我们联系获取晶锭规格。

相比硅基功率半导体，SiC（碳化硅）功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在显著优势。长晶环节中，和单晶硅使用的提拉法工艺制备不同，碳化硅主要采用物理气相输运法（PVT，也称为改良的Lely法或籽晶升华法），高温化学气相沉积法（HTCVD）作为补充。长晶完成后，就进入衬底生产环节。

经过定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）、超精密抛光（化学机械抛光），得到碳化硅衬底。衬底主要起到物理支撑、导热和导电的作用。加工的难点在于碳化硅材料硬度高、脆性大、化学性质稳定，因此传统硅基加工的方式不适用于碳化硅衬底。