4H导电N型碳化硅晶锭厂家

4H导电N型碳化硅晶锭厂家

作为第三代半导体材料碳化硅晶锭供应商，苏州恒迈瑞公司采用PVT法生长碳化硅晶锭，单根晶锭厚度约为20mm左右，已完成滚圆双面磨平等工序，可提供4英寸6英寸至8英寸碳化硅晶锭，碳化硅切割片及碳化硅衬底晶片，导电型碳化硅晶锭电阻率0.015~0.025Ω.cm,晶向Off axis:4.0°toward<1120>±0.2°。欢迎碳化硅晶锭改质切割设备，激光冷剥离，水导激光切割设备厂商及金刚石减薄砂轮等厂商联系获取晶锭报价及测试。

作为第三代半导体材料碳化硅晶锭供应商，苏州恒迈瑞公司采用PVT法生长碳化硅晶锭，单根晶锭厚度约为20mm左右，已完成滚圆双面磨平等工序，可提供4英寸6英寸至8英寸碳化硅晶锭，碳化硅切割片及碳化硅衬底晶片，导电型碳化硅晶锭电阻率0.015~0.025Ω.cm,晶向Off axis:4.0°toward<1120>±0.2°。欢迎碳化硅晶锭改质切割设备，激光冷剥离，水导激光切割设备厂商及金刚石减薄砂轮等厂商联系获取晶锭报价及测试。

碳化硅的晶体结构 决定了它的属性和性能。 4H SiC和6H-SiC均属于六方晶系，区别在于它们的堆叠顺序，在 4H 碳化硅中，这些层按 ABCB 顺序堆叠。而在 6H-SiC 中，堆叠顺序是ABABAB，堆叠的这种变化导致对称性的差异、晶格常数、和这些多型体的电气特性。前面提到的 4H-SiC 具有 ABCB 堆叠顺序，与 6H-SiC 的 ABABAB 堆叠相比具有更高的对称性。这种对称性差异影响晶体生长过程， 导致缺陷密度和晶体质量的变化。