UPS整流电路分为普通桥堆整流、SCR相控整流和PFC高频功率因数校正的整流器。传统的整流器由于基频为50HZ，滤波器的体积重量较重，随着UPS技术的发展和各国对电源输入功率因数要求，采用PFC功率因数校正的UPS日益普及，PFC电路工作的基频至少20KHZ，使用的滤波器电感和滤波电容的体积重量大大减少，不必加谐波滤波器就可使输入功率因数达到0.99，PFC电路中常用IGBT作为功率器件，应用IGBT的PFC整流器是有效率高、功率容量大、绿色环保的优点。
③充电器
UPS的充电器常用的有反激式、BOOST升压式和半桥式。大电流充电器中可采用单管IGBT，用于功率控制，可以取得很高的效率和较大的充电电流。
④DC/AC逆变器
3KVA以上功率的在线式UPS几乎全部采用IGBT作为逆变部分的功率器件，常用全桥式电路和半桥电路。
2、IGBT损坏的原因
UPS在使用过程中，经常受到容性或感性负载的冲击、过负荷甚至负载短路等，以及UPS的误操作，可能导致IGBT损坏。IGBT在使用时的损坏原因主要有以下几种情况：
奥科蓄电池6GFM12-40 批发零售及价格说明
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奥科蓄电池产品特点：
1.使用寿命
高强度紧装配工艺，提高电池装配紧度，防止活物质脱落，提高电池使用寿命。
低酸比重电液，提高电池充电接受能力，增强电池深放电循环能力。
增多酸量设计，确保电池不会因电解液枯竭缩短电池使用寿命。
此GFM系列蓄电池的正常浮充设计寿命可达15年以上(25℃)
2.高倍率放电性能优良
高强度紧装配工艺，电池内阻极小，大电流放电特性优良，比一般电池提高20[%]以上。
3. 自放电低
高纯度原料和特殊造工艺，自放电很小，室温储存半年以上也可无需补电。
4.维护简单
特殊氧气吸收循环设计，克服了电池在充电过程中电解失水的现象，在使用过程中电解液水份含量几乎没有变化，因此电池在使用过程中完全无需补水，维护简单
奥科 UPS电源免维护铅酸蓄电池按《GB/T阀控封式铅酸蓄电池标准》设计制造，产品在使用前无需加水，用户只需正确安装即可使用。蓄电池具有无酸液泄漏、电阻小、耐震动性能、抗过放电恢复能力强，自放电小，寿命长等特点。
宝贝特点：
装备紧密，不渗漏，无酸污染;无需特定环境使用；无需加水，无需补充电解液，免维护；连接方便，无需特定方向使用；内阴小，输出功率高；低阻抗设计，自放电低，容量保持及存储时间在20℃下达12个月以上；采用C.C.D.S充放电检测系统，保证了产品一致性;采用高强度工程塑料为原料及高密度超细玻璃纤维隔板，确保电池的一流品质；适应各种温度条件（-15℃—45℃）;无游离电解液，防爆，自放电小。
性能与优势：
安全可靠性高
采用全自动的安全阀（VRLA），能防止气体被吸入蓄电池影响其性能，同时也可防止因充电等所产生的气体造成内压异常而损坏蓄电池。全密闭蓄电池在正常浮充下不会有电解液及酸雾排出。同时，采用自主专利技术的蓄电池托盘与蓄电池配套使用，确保蓄电池组使用更加安全。
使用寿命长
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型号
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电压
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容量
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参考重量
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外型尺寸
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（V）
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（Ah）
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（Kg）
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长*宽*高（mm）
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6GFM12-7
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12
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7
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2.6
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115*65*94
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6GFM12-17
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12
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17
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6
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6GFM12-38
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12
|
38
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12
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6GFM12-65
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12
|
65
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20
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350*166*175
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6GFM12-100
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12
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100
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30
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407*173*210
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奥科蓄电池6GFM12-40 批发零售及价格说明
IGBT有一定抗过电流能力，但必须注意防止过电流损坏。IGBT复合器件内有一个寄生晶闸管，所以有擎住效应。图5为一个IGBT的等效电路，在规定的漏极电流范围内，NPN的正偏压不足以使NPN晶体管导通，当漏极电流大到一定程度时，这个正偏压足以使NPN晶体管开通，进而使NPN和PNP晶体管处于饱和状态，于是寄生晶闸管开通，门极失去了控制作用，便发生了擎住效应。IGBT发生擎住效应后，漏极电流过大造成了过高的功耗，最后导致器件的损坏。
②过电压损坏;
IGBT在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断瞬间产生尖峰电压，如果尖峰电压过压则可能造成IGBT击穿损坏。
③桥臂共导损坏;
④过热损坏和静电损坏。
3、IGBT损坏的解决对策
①过电流损坏
为了避免IGBT发生擎住效应而损坏，电路设计中应保证IGBT的最大工作电流应不超过IGBT的IDM值，同时注意可适当加大驱动电阻RG的办法延长关断时间，减小IGBT的di/dt。驱动电压的大小也会影响IGBT的擎住效应，驱动电压低，承受过电流时间长，IGBT必须加负偏压，IGBT生产厂家一般推荐加-5V左右的反偏电压。在有负偏压情况下，驱动正电压在10—15V之间，漏极电流可在5～10μs内超过额定电流的4～10倍，所以驱动IGBT必须设计负偏压。由于UPS负载冲击特性各不相同，且供电的设备可能发生电源故障短路，所以在UPS设计中采取限流措施进行IGBT的电流限制也是必须的，可考虑采用IGBT厂家提供的驱动厚膜电路。如FUJI公司的EXB841、EXB840，三菱公司的M57959AL，57962CL，它们对IGBT的集电极电压进行检测，如果IGBT发生过电流，内部电路进行关闭驱动。这种办法有时还是不能保护IGBT，根据IR公司的资料，IR公司推荐的短路保护方法是：首先检测通态压降Vce，如果Vce超过设定值，保护电路马上将驱动电压降为8V，于是IGBT由饱和状态转入放大区，通态电阻增大，短路电路减削，经过4us连续检测通态压降Vce，如果正常，将驱动电压恢复正常，如果未恢复，将驱动关闭，使集电极电流减为零，这样实现短路电流软关断，可以避免快速关断造成的过大di/dt损坏IGBT，另外根据最新三菱公司IGBT资料，三菱推出的F系列IGBT的均内含过流限流电路(RTCcircuit)，如图6，当发生过电流，10us内将IGBT的启动电压减为9V，配合M57160AL驱动厚膜电路可以快速软关断保护IGBT。