随着第三代半导体（碳化硅、氮化镓）的普及，晶圆切割环节面临的挑战日益严峻——硬脆材料易崩边、切割屑污染导致芯片良率下降。针对这一行业痛点，我们推出半导体晶圆切割液，通过超低金属离子含量与独特的润滑分散体系，在提升切割效率的同时，严格保障芯片表面洁净度，目前已通过多家头部封测厂量产验证。
产品简介
本产品专为高精度半导体晶圆划片（Dicing）工艺设计，是一种全合成型水基切割液。其分子结构能在高速旋转的刀片与晶圆界面形成极薄的化学润滑膜，有效降低切削热，并利用超强分散力将切割产生的硅屑迅速带离表面，防止二次沉积。
关键物理参数：
外观：无色至淡黄色透明粘稠液体
pH值（25°C）：6.6±0.5（偏中性配方，兼容各类晶圆材质）
核心优势
崩边控制：针对碳化硅（SiC）这类莫氏硬度高达9.5的材料，传统切割液容易出现崩边（Chipping）>10μm的问题。我们的配方通过提升流体动压润滑性，可将正面崩边控制在5μm以内，有效保护芯片边缘结构完整性。
超净易清洗性：采用非离子表面活性剂体系，残留物在DI水冲洗下即可彻底清除，无白粉残留。
刀片寿命延长：优异的冷却与润滑协同作用，有效降低主轴负载，减少金刚石刀片磨损。实际产线数据反馈，使用本产品后，刀片更换频率平均降低15%-20%，显著降低耗材成本。
良好的抗菌防腐效果：优良的抗菌防腐效果，可避免堵管现象。
应用场景与工艺适配
适用材料：6英寸、8英寸、12英寸单晶硅、碳化硅（SiC）、砷化镓（GaAs）、蓝宝石衬底。
适用设备：兼容Disco（东京精密）、ADT、KSI等主流全自动划片机。
实测数据对比
（图表描述：左图为未使用切割液前芯片表面状态，硅粉残留；右图为使用本产品后的效果）
切割道表面：无附着硅屑，表面清洁度提升40%。
使用与安全规范
1.产品配套专门供液系统往切割机输液，使用温度：建议液槽温度控制在 20-25℃，稀释比例：1:3000~10000，按实际情况操作调整。
2．可根据实际情况调整稀释比例供液系统的输送频率。
3.存储：避光密封保存，保质期12个月。通过RoHS、REACH认证，无卤素，符合半导体行业环保标准。
常见问题（FAQ）
Q：切割液残留在晶圆表面，会影响后续的光刻工艺吗？
A：不会。本产品专为“易清洗”设计，不含难挥发的油脂类物质。在标准的切割后清洗流程（DI水高压喷淋+旋转甩干）下，表面残留量远低于光刻工艺对表面能的要求，不会导致光刻胶收缩或图形失真。
Q：你们的切割液适合切割薄晶圆（<100μm）吗？
A：非常适合。薄晶圆切割zui大的风险是背面崩裂和芯片破碎。本产品的高润滑性能能有效降低切割应力，我们已有多家客户在50μm超薄晶圆切割中成功应用。
Q：能否提供样品进行机台验证？
A：可以。我们提供免费样品供您进行机台小批量测试，我们将安排技术人员协助您调整适合的使用浓度及工艺参数。
详情欢迎致电了解，欢迎了解。