美国加利福尼亚州联邦法院受理一起针对全球三大DRAM制造商——三星电子、SK海力士和美光科技的集体诉讼，指控三家企业涉嫌合谋操纵内存市场供应与价格。原告方称，这三家公司在2018至2023年间系统性地减少传统DDR3与DDR4内存的产能投放，将资源集中于高性能计算专用的高带宽内存（HBM）生产，导致主流消费级设备用内存严重短缺，直接推高市场价格。
根据起诉书内容，三家公司合计控制全球约90%的DRAM市场份额，具备显著的市场支配地位。在人工智能数据中心需求激增背景下，企业将产能优先配置于HBM，而对常规内存的供给则采取“主动收缩”策略，包括关闭部分传统产线、限制分销渠道供货量等。这种行为违背了市场竞争逻辑：若市场存在真实竞争，价格飙升本应激励厂商扩大生产以抢占份额，但实际未见任何一方增加传统内存产出，形成反常的“非价格响应”现象。
该诉讼特别指出，当前进入DRAM制造领域的壁垒极高。建设一条新一代12英寸晶圆厂需投入超200亿美元，且周期长达4-5年；加之先进制程技术受专利保护、关键设备（如EUV光刻机）受出口管制，中国厂商难以获取最前沿生产设备，短期内无法形成有效替代产能。即便有新玩家意图入场，也面临极高的资本与技术门槛，难以打破现有格局。
这并非三家企业首次卷入类似法律纠纷。2000年代中期，三星与SK海力士曾因DRAM价格共谋案在美国认罪，分别支付数亿美元罚款；美光则因配合调查而免于处罚。此次事件引发对半导体产业链定价机制的关注，尤其在AI驱动下，高端内存与通用内存之间的资源错配问题日益突出。
从下游应用看，内存成本上升已传导至终端产品。微软已宣布Xbox系列主机涨价，索尼与任天堂亦上调部分游戏主机及配件售价。Valve公司更公开表示，原计划推出的Steam Machine因成本过高“已不可行”。目前，PC整机、服务器、工业控制设备等均面临采购成本压力，尤其是对内存依赖度高的中低端产品线，利润空间被持续压缩。
对中国供应链的影响主要体现在两个层面：一是采购端，国内OEM厂商在选择内存模组时，需关注供应商是否涉及本次诉讼或未来可能的合规风险；二是生产端，国内已有长江存储、长鑫存储等企业在推进DRAM自主化，但其主流产品仍集中在DDR4阶段，尚未大规模量产HBM，且良率与稳定性尚不及国际一线水平。在高端市场仍高度依赖进口，一旦海外厂商因诉讼导致产能调整或出口受限，将直接影响国内设备制造商的交付节奏。
从合规角度出发，建议相关企业重点关注以下事项：第一，所有采购合同中应明确要求供应商提供完整的生产批次追溯信息，以便应对未来可能出现的反垄断调查；第二，对于使用进口内存的系统集成商，需保留完整的采购凭证与物流记录，以证明交易来源合法、价格公允；第三，若涉及向美国市场出口含内存的设备，须评估潜在的“反垄断连带责任”风险，避免因上游组件问题触发跨境合规审查。