意法半导体于2026年10月正式发布“MasterGaN7”系列650V氮化镓（GaN）功率系统级封装（SiP）。该产品目前已开始出货，批量采购（1000件）单价为3.83美元。
作为“MasterGaN”家族的新成员，该系列采用9×9毫米QFN封装，内部集成了两个以半桥结构连接的650V增强型GaN晶体管及高压高频栅极驱动器。新一代GaN技术实现了高速动作与高效率，并新增低压差线性稳压器（LDO），通过稳定栅极驱动电压来优化开关性能。
器件具备45纳秒传播延迟与超快唤醒时间，最短导通时间短，可支持最高2MHz的开关频率。配合小型外部磁性元件和无源器件即可构成电路，有助于缩减PCB面积与物料成本，提升功率密度。其引脚控制关断模式专为超快唤醒设计，可将空载功耗降至最低。
芯片内置用于高侧驱动器供电的自举二极管，兼容有源钳位反激、不对称半桥、反相降压、LLC谐振、功率因数校正（PFC）及DC-AC逆变等多种拓扑结构。保护功能涵盖防穿锁存、欠压锁定（UVLO）和热关断，工作温度范围为-40℃至+125℃。
官方同步提供评估板“EVLMG7”。该评估板引脚定义与安装尺寸与其他MasterGaN产品保持一致，主要面向电源适配器、充电器、工业照明设备及光伏微型逆变器等应用场景。
资料来源：EDN Japan；原文发布日期：2026-10-30。本文为资料编译。