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氮化镓氮化硅涡流法方阻电阻率测试仪

发布时间:2023-12-13 19:31  点击:1次

参数

方阻

电阻率(厚度180um)

方法

探头量程

1-600Ω/¨

0.018-10.8 Ω?cm

涡流法

探头性能

动态重复性

静态重复性

示值误差

1-80Ω/¨0.018 - 1.44Ω?cm < 0.2%

<0.01%

±1%

80-120Ω/¨1.44 - 2.16Ω?cm < 0.3%

120-300Ω/¨2.16 - 5.4Ω?cm < 0.5%

300-600Ω/¨5.4 - 10.8Ω?cm< 1%

外形尺寸

上探头Ф20*145mm 

下探头Ф20*50mm

信号采集

采样率:大1500Sps

采样个数:大512点/单次

采样缓存:8级数据记录缓存

数据传输:RS232 RS485CANTCP/IP

传输协议:Modbus Rtu/ Modbus Tcp 用户自定义协议等

供电电源

24V/1A

非接触式无损方块电阻测试仪、晶圆方阻测试仪,方阻测试仪,硅片电阻率测试仪,涡流法高低电阻率分析仪,晶锭电阻率分析仪,涡流法电阻率探头和PN探头测试仪,迁移率(霍尔)测试仪,少子寿命测试仪,晶圆、硅片厚度测试仪,表面光电压仪JPV\SPV、汞CV、ECV。碳化硅、硅片、氮化镓、衬底和外延厂商提供测试和解决方案

 


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