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- 广东省科学院半导体研究所
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- 发布时间
- 2022-09-26 03:29:46
半导体XRD测试——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，半导体薄膜费用多少，兼顾重大技术应用的基础研究，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，半导体薄膜服务，以及行业应用技术开发。
晶体晶粒细化，多晶试样中存在宏观应力时，衍射花样的变化情况是怎样？ 不管是粉末试样还是（多）晶体试样，粉末颗粒或晶粒太粗，参加衍射的晶粒少，会使衍射线条起麻，衍射的重现性但粉末颗粒或晶粒过细时，会使衍射线条变宽，这些都不利于分析工作。存在宏观内应力的效应是使得衍射环或衍射峰的位置改变，导致底片上的衍射线条变宽，不利于分析工作。
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半导体XRD测试——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
技术参数
1、能量分辨率及灵敏度：
l XPS能量分辨率≤0.5 eV，半导体薄膜联系方式，UPS能量分辨率≤120 meV
l XPS灵敏度≥4，000，000 cps，UPS灵敏度≥2，200，000 cps；
2、电子能量分析器：
l 能量扫描范围5 eV - 3000 eV，内蒙古自治半导体薄膜，小能量步长3 meV
l 通过能为1 eV - 400 eV，连续可调
3、X射线光源：
l Al Ka单色化光源（hu = 1486.6 eV），聚焦可获得小束斑≤10 μm
l 束斑面积从10 μm至400μm聚焦连续可调，步长不超过5 μm
l X射线光源大功率150 W
4、紫外光源：
l He紫外光源（He I：21.2 eV，He II：40.8 eV）
l He II工作时，He II / He I强度比高于1/2
5、电子/离子中和源：
l 带有同源双束中和，同时具备电子和离子中和能力
l 满足绝缘样品UPS分析时的荷电中和
6、离子：
l 能量范围：≥4000 eV
l 大束流：4 μA
l 离子能量3 keV，束流3.5 μA时束斑不大于500 μm
l 束斑可调，自动对中
7、角分辨XPS：
l 角分辨XPS角度分辨优于1°
8、样品台：
l 测试样品厚度≤20 mm
l 带有束斑孔径、刀刃边、荧光物质、银和金的标准样品台，用于系统标定
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半导体XRD测试——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
X射线衍射仪XRD项目简介：
X射线衍射仪 (X-ray diffraction，XRD)是通过对材料进行X射线衍射，分析其衍射图谱，获得材料的成分、材料内部原子或分子的结构或形态等信息的研究手段。X射线衍射分析法是研究物质的物相和晶体结构的主要方法。当某物质(晶体或非晶体)进行衍射分析时，该物质被X射线照射产生不同程度的衍射现象，物质组成、晶型、分子内成键方式、分子的构型、构象等决定该物质产生特有的衍射图谱。X射线衍射方法具有不损伤样品、无污染、快捷、测量精度高、能得到有关晶体完整性的大量信息等优点。因此，X射线衍射分析法作为材料结构和成分分析的一种现代科学方法，已逐步在各学科研究和生产中广泛应用。
常规广角: 3-120°，测试速率：10°/min、5°/min、2°/min、2°/min。
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