AlGaN材料XRD机构 半导体XRD测试电话

半导体XRD测试——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

XRD进行定性分析时可以得到哪些有用信息？

A. 根据XRD谱图信息，可以确定样品是无定型还是晶体：无定型样品为大包峰，没有精细谱峰结构；晶体则有丰富的谱线特征。把样品中峰的强度和标准物质的进行对比，可以定性知道样品的结晶度。B. 通过与标准谱图进行对比，可以知道所测样品由哪些物相组成（XRD主要的用途之一）。基本原理：晶态物质组成元素或基团如果不相同或其结构有差异，它们的衍射谱图在衍射峰数目、角度位置、相对强度以及衍射峰形上会显现出差异（基于布拉格方程，后面会详细解析）。C. 通过实测样品和标准谱图2θ值的差别，陕西AlGaN材料XRD，可以定性分析晶胞是否膨胀或者收缩的问题，因为XRD的峰位置可以确定晶胞的大小和形状。

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X射线衍射技术(XRD技术)在电池领域的应用

原位XRD技术研究材料在不同电压下的相变

　　原位XRD技术是分析正负极材料相变变化的有力工具。实验中我们采用NCM材料做阴极，用石墨做阳极材料，AlGaN材料XRD机构，做成电芯进行原位XRD测试，将电芯逐渐从3.0V充电到4.5V，AlGaN材料XRD哪家好，每隔一段电压扫描一次。XRD测试采用Malvern Panalytical公司生产的X Pert PRO X射线衍射仪，实验结果如下图所示：

　　从图二图三可以看出，随着充电电压的升高，正极材料NCM的（003）峰开始向低角度偏移，此时NCM的（003）晶面间距增大，即c轴变大，当电压达到4.0V时达到低值，随后随电压升高又向高角度偏移；与之相对应，（110）峰随电压升高向高角度偏移，中间没有反弹趋势，说明（110）晶面间距减小，对应着a轴一直变小。当电压大于4.4V后，003峰峰强变低，并开始宽化，说明此时晶体结构开始严重变形，晶胞中原子不能很好的规整排列，AlGaN材料XRD联系方式，达到材料极限承受电压。

　　另外，材料充放电过程中的结构稳定性及相变过程对其电化学性能，特别是循环稳定性有着重要影响。通过分析可得到晶胞参数在充放电过程中的变化图，从而评估不同的正极材料引起的锂离子电池体积膨胀，为锂离子电池的安全研究、材料选取提供可行数据和分析手段。

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微区XRD

微区XRD可以测试某个区域的XRD谱图，但是测试区域需要大于等于0.5 mm，不能太小。另外测试角度范围默认是5-90 °，其他角度需要先和检测老师沟通后再做决定。比如需要测试块体样品（尺寸要求是长宽一般1-2 cm，厚度不超过5 mm）上面某一个或一些小区域的XRD，就可以用微区XRD来测试。

掠入射XRD

掠入射XRD是专门用来测试薄膜样品的手段。测试光是平行光，相对于常规的衍射光来说能量较小，因此掠入射测试XRD的谱图峰强相对较弱。但是平行光可以更好的关注薄膜表面的信息，也不容易测到基底，因此掠入射XRD专门用于测试薄膜样品。薄膜尺寸没有特别要求，但是需要测试面平整光洁，不要有遮挡物，这样测试结果才真实可信。

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