单晶XRD检测机构 半导体研究所 甘肃单晶XRD检测

单晶XRD检测XRD残余应力检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，单晶XRD检测机构，以及行业应用技术开发。

X射线衍射残余应力测定的sin2ψ法应力是通过应变来进行测定的，对于多晶体材料而言，残余应力所对应的应变被认为是相应区域里晶格应变的统计结果，因此依据X射线衍射原理测定晶格应变，即可计算残余应力。

X射线衍射残余应力测定的sin2ψ法

材料的残余应力与宏观应变相对应，单晶XRD检测实验室，宏观应变被认为等同于晶格应变，晶格应变即晶面间距的相对变化，而晶面间距的变化可以通过衍射装置依据布拉格定律求出，这便是X射线衍射残余应力测定法的完整思路。

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xrd薄膜法能够测定薄膜什么性质

一般对于薄膜材料，XRD能够做:掠入射(GIXRD): 分析晶态薄膜物相，残余应力反射率测量(XRR): 对膜质量要求较高，晶态非晶皆可.一般分析纳米级别薄膜的厚度，深入一点可通过拟合的方法来分析密度，表面界面的粗糙度掠入射小角散射(GISAXS): 分析薄膜的纳米结构.这个比较新.

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XRD小角度测试X 射线散射效益来自于物质内部1～100nm 量级范围内电子密度的起伏。对于完全均匀的物质，其散射强度为零。

当出现第二相或不均匀区时才会发生散射，且散射角度随着散射体尺寸的增大而减小。

XRD小角度测试X射线散射强度受粒子尺寸、形状、分散情况、取向及电子密度分布等的影响。

对于稀疏分散、随机取向、大小和形状一致，且每个粒子内部具有均匀电子密度的粒子组成体系， 对于不规则形状的粒子体系，其散射强度不同，表现为散射函数不同。

同样，具有一致取向的粒子构成的稀疏粒子体系与无取向的粒子体系的散射强度也不同。

XRD小角度测试X射线散射可测尺寸分布，回旋半径，相关距离，平均壁厚，分形维度，以及分数等，可提供变温(室温~230°C)，原位拉伸散射测试。

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