半导体分立器件静态参数测试系统

DCT2000半导体分立器件静态参数测试系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。

测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。

高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）

控制极/栅极电压40V，栅极电流100mA

分辨率*高至1.5uV / 1.5pA，精度*高可至0.1%

DCT2000半导体分立器件静态参数测试系统能够测试分立器件静态参数还可测试“结电容”，支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接”

主机功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超过 4000m；

环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；

相对湿度： 20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；

大气压力：86Kpa～106Kpa；

防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；

电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；

工作时间：连续；

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