高真空电阻热蒸发镀膜一体设备 HITSemi-PVD-420TE

高真空电阻热蒸发镀膜一体设备 HITSemi-PVD-420TE

发布
鹏城半导体技术(深圳)有限公司
品牌
鹏城半导体HITSemi-LPCVD-150
基片尺寸
1" ~6“
电阻热蒸发源
1个~4个
膜厚均匀性
优于±5%
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发布时间
2026-06-27 10:53:38
产品详情

高真空电阻热蒸发镀膜一体设备采用电阻热蒸发技术,它是在高真空条件下,通过加热材料的方法,在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。
可用于材料的物理和化学研究。可用于制备金属导电电极;可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。

主要特点
真空度高、抽速快、基片装卸方便。
PID自动控温,成膜均匀、放气量小和温度均匀。

技术参数

产品型号HITSemi-PVD-420TE
基片尺寸1" ~6“
电阻热蒸发源1个~4个
电阻热蒸发源组件钽(钨或钼)金属舟热蒸发源组件
石英舟热蒸发源组件
钨极或钨蓝热蒸发源组件
钽炉热蒸发源组件(配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚)
束源炉热蒸发组件(配石英坩埚或氮化硼坩埚)
腔体材质304/316(选配)不锈钢,电解抛光
真空系统分子泵+机械泵
极限真空5×10-5Pa
恢复工作背景真空大气至7×10-4Pa,30分钟左右(新设备充干燥氮气)
设备总体漏放率关机12小时真空度≤8Pa
工艺电源直流蒸发电源、束源炉蒸发电源
基片台基片台可加热600℃、可旋转2~30转/分钟、可升降、可水冷(选配)
膜厚均匀性优于±5%
控制形式半自动/全自动
等离子清洗源可选配
膜厚监控可选配
恒温制冷水箱可选配
空气压缩机可选配

设备工作条件

供电三相五线制,AC 380V,50Hz;接地电阻≤1Ω
功率根据设备规模配置,峰值功率(10KW~20KW)
冷却水≤100L/min
水压0.1Mpa~0.15MPa
水温18℃~25℃
气动部件供气压力0.5MPa~0.7MPa
质量流量控制器供气压力0.05MPa~0.2MPa
工作环境温度10℃~40℃
工作环境湿度≤50%


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