实验室专用半导体分立器件高精度选型测试设备

西安易恩电气坐落于西安渭北工业装备区，是陕西省政府重点支持的高新技术企业。公司专注于研发、生产和销售半导体封装、测试设备。现已成为国内电力电子行业知名的测试方案供应商。公司以自主研发生产的“轨道机车半导体测试系统”系列产品为主导，在此基础上相继推出全自动大功率IGBT参数测试系统，分立器件综合测试仪，功率器件图示系统，晶体管图示仪，MOS动静态测试测试仪，晶闸管测试仪，雪崩、浪涌、高温阻断、高温反偏、栅电荷测试系统等系列产品。广泛应用于科研院所、能源、电力电子、交通、船舶制造、高校等诸多领域。

分立器件测试设备测试可测试市面上常见的18类分立器件静态全参数，如一下参数；

1、二极管DIODE

测试参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
IR	0.10V-2kV	1nA(20pA)1-50mA	1nA(1pA)1	1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1
BVR	0.10V-2kV	1nA-3A	1mV	1%+10mV
VF	0.10V-5.00V -9.99V	IF:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3	1mV	VF:1%+10mV IF:1%+1nA

2、绝缘栅双极大功率晶体管IGBT

测试参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
ICES IGESF IGESR	0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2	1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A	1nA(1pA)1	1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1
BVCES	0.1V-900V -1.4KV -1.6KV	100μA-200mA -100mA -50mA	1mV	1%+100mV
VGETH	0.10V-20V(50V)2	1nA-3A	1mV	1%+10mV
VCESAT ICON VGEON VF gFS(混合参数)	VCE:0.10V-5.00V -9.99V VGE:0.10V-9.99V	IC:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IF, IGE:1nA-10A	1mV	V:1%+10mV IF IC:1%+1nA IGE:1%+5nA

实验室专用半导体分立器件高精度选型测试设备

西安易恩电气科技有限公司