去胶液/光刻胶剥离液/去光阻剂——亦盛科技

发布时间:2026-05-27 17:13  点击:1次
去胶液/光刻胶剥离液/去光阻剂——亦盛科技

一、什么是半导体去胶液(光刻胶剥离液)?

材料类型定位

半导体去胶液(Photoresist Stripper / Remover)是一种专用于半导体晶圆制造与封装工艺中去除光刻胶的高纯湿化学品,属于光刻胶剥离液类别。在光刻、刻蚀、离子注入、金属沉积等工艺完成后,晶圆表面的光刻胶必须被彻底清除,否则残留的有机胶膜会导致后续工艺缺陷(如接触电阻增大、金属层附着不良、图形短路等)。

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传统去胶方案中,NMP(N-酮)因其良好的溶解性能被广泛使用,但NMP具有生殖毒性,已被欧盟REACH、中国《重点管控新污染物清单》等法规限制使用。进口品牌去胶液(如美国、日本产品)虽然性能优异,但存在供应链风险、成本较高及部分配方仍含受限物质等问题。

本产品是一款环保型、可替代NMP及进口品牌的半导体去胶液。它采用低毒、可生物降解的极性溶剂与有机胺复配体系,不含NMP、苯酚、卤代烃等受限制物质,对正胶、负胶、厚胶、高剂量注入胶及固化胶均有优异的去除能力,同时兼容晶圆上的金属(Al、Cu、Ni、Au等)和介电材料(SiO₂、Si₃N₄、low‑k等)。去胶后仅需去离子水冲洗,无有害残留。

 核心特点 

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与竞品/替代品的对比

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核心优势总结相比纯NMP,本产品去胶速率更快、对高剂量注入胶有效、且符合环保法规;相比进口品牌,实现国产替代,成本更低、供应稳定,且环保性更优(无NMP、无苯酚、可生物降解)。

二、应用领域

丨说明:以下场景均针对光刻胶去除,涵盖半导体制造及封装中各类光刻胶剥离需求。

应用场景一:标准光刻胶剥离(Lift‑off及图形化后去胶)

场景痛点与需求:

在lift‑off工艺、刻蚀后或沉积后,需要快速彻底去除晶圆表面的正胶或负胶,同时不损伤下方的金属图形或介电层。传统NMP去胶速度慢,且对厚胶效果不佳;进口品牌成本高。

去胶液的具体作用:

本产品通过极性溶剂和有机胺的协同作用,快速渗透并溶胀光刻胶,使胶膜整体剥离并溶解。提高去胶速率,与进口品牌相当。缓蚀剂确保Al、Cu、Ni等金属图形无损。

应用场景二:刻蚀后去胶(Post‑Etch Stripping)

场景痛点与需求:

干法刻蚀或湿法刻蚀后,光刻胶表面形成硬化层或交联层(“外壳”),普通NMP或常规剥离液难以渗透去除,导致残留胶点。

去胶液的具体作用:

本产品含有强渗透性溶剂和有机胺,能够穿透硬化层,使内部未改性胶体溶解,同时断裂交联键。配方中不含NMP,但渗透能力优于NMP。

应用场景三:高剂量离子注入后去胶(Post‑Imnt Stripping)

场景痛点与需求:

高剂量离子注入(≥1×10¹⁵ ions/cm²)使光刻胶表面形成致密的碳化层(焦化层),极难去除。NMP基本无效,进口专用剥离液价格昂贵且供应周期长。

去胶液的具体作用:

本产品的高效配方(含有机胺及特殊助剂)在80—95℃下与碳化层反应,使其软化分解,同时渗透至胶膜底部,将整个光刻胶层抬起溶解。可替代进口专用剥离液。

应用场景四:晶圆返工及临时键合胶去除(Rework & Temporary Bonding Adhesive Removal)

场景痛点与需求:

晶圆返工时需要去除已高温固化或碳化的光刻胶残留;先进封装中需去除临时键合胶(如丙烯酸酯、环氧类)。传统NMP或进口剥离液要么效果差,要么环保不达标。

去胶液的具体作用:

本产品针对固化胶和临时键合胶优化,在较高温度(80—95℃)下可溶解或剥离这些耐热胶层。清洗后晶圆表面无有机残留,可直接重新投入工艺。产品环保特性符合封装厂的EHS要求。

三、选型指南

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四、技术能力与品质保障

五、产品资源与垂询通道


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