onsemi推出新一代氮化镓（GaN）FET晶体管GaNEXUS，现已在Mouser Electronics上市。该产品针对人工智能、数据中心及工业自动化等高功率密度应用，旨在提升能源效率并缩小电源系统体积。
GaNEXUS利用氮化镓材料的宽禁带特性，实现更高开关频率、更低能耗损耗，并优化功率密度。适用于AI基础设施、数据中心、机器人系统及工业设备。
该系列产品覆盖40至650伏电压范围，采用增强型HEMT结构。650V型号配备智能保护机制，提升系统可靠性，简化现代电源架构集成。
在低中压应用如AI服务器、48V中间转换器、电池备用系统及电机变频器中，GaNEXUS可减小磁性元件尺寸，提高能效与控制稳定性。
在高压应用如AI电源架、高压DC-DC转换器、PFC及LLC级电路中，该技术可使磁性元件体积减少高达60%，显著提升功率密度，并降低热管理相关运营成本。