导电型碳化硅衬底片供应商 华东碳化硅晶圆

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碳化硅衬底片主要分为导电型和半绝缘型，导电型SiC碳化硅衬底以n型碳化硅衬底为主，主要用于外延GaN基LED等光电子器件、SiC基电力电子器件等，半绝缘型碳化硅衬底片主要用于外延制造GaN高功率射频器件。高纯半绝缘HPSI与SI半绝缘是有区别的，高纯半绝缘载流子浓度3.5*1013~8*1015/cm3范围，具有较高的电子迁移率；半绝缘是高阻材料，电阻率很高，一般用于微波器件衬底，不导电。

从世界范围来看， 高功率器件是非常有可能实现的， 应用潜力也大， SiC碳化硅材料 作为二元化合物半导体， 属于Ⅳ族元素中唯一的固态化合物。 它 Si-C 健的能量很稳定， 这也是 SiC碳化硅材料 在各种极端环境下仍能稳定的原因。 SiC 碳化硅材料的原子化学能高达 1250KJ/mol； 德拜温度达到 1200-1430K， 摩尔硬度达到 9 级， 仅比金刚石摩尔硬度低些； 导热性良好， 达 5W/cm.K,比其他半导体材料好很多。

碳化硅有多种同质多型体， 不同的同质多型体有不同的应用范围。 典型的有3C-SiC、 4H-SiC 和 6H-SiC， 它们各有不同的应用范围。 其中， 3C-SiC 是唯一具有闪锌矿结构的同质多型体， 其电子迁移率高， 再加上有高热导率和高临界击穿电场， 非常适合于制造高温大功率的高速器件； 6H-SiC 具有宽的带隙， 在高温电子、 光电子和抗辐射电子等方面有使用价值， 使用 6H-SiC 制造的高频大功率器件，工作温度高， 功率密度有极大的提升； 而 4H-SiC 具有比 6H-SiC 更宽的带隙和较高的电子迁移率， 是大功率器件材料的优选择。