N型Si掺杂氮化镓自支撑晶片生产商

N型Si掺杂氮化镓自支撑晶片生产商

　自支撑氮化镓(GaN)衬底方面：位错密度在105cm-3量级，根据不同的技术参数分为三种，即n型掺杂、半绝缘与非掺杂。n型氮化镓，主要运用于LED、激光器方面；半绝缘则运用于高功率微波器件或大电流高电压的开关上。非掺杂即高纯度氮化镓，在探测器上的应用较为广泛，要求材料的电子浓度越低越好。恒迈瑞非掺杂氮化镓产品，X射线(002)半峰宽为50秒、(102)半峰宽为80秒左右，块体材料的电子迁移率超过1500cmV-1s-1。

在电力电子领域，宽禁带半导体的应用刚刚起步，市场规模仅为几亿美元。由于GaN材料电子漂移饱和速度高，击穿场强大，目前硅基GaN功率器件具有高反向关断电压、更高的工作频率和更低的导通电阻等特性，可使电源做的更小，效率更高，更高的功率密度。半导体在节能领域中应用就是功率器件，绝大多数电子产品都会使用到一颗或多颗功率器件产品。数据显示，宽禁带半导体芯片可以消除整流器在进行交直流转换时90%的能量损失，还可以使笔记本电源适配器体积缩小80%。