据上海松江区官方消息，位于松江综合保税区的思芯科技（上海）有限公司已正式建成全球首条35微米超薄功率半导体晶圆加工及封装测试生产线。这一里程碑式项目的落地，标志着中国在超薄晶圆制造与功率器件先进封装领域取得重大突破，成功填补了国内在相关技术与产能上的长期空白。
该产线集成了晶圆键合、研磨减薄、激光切割及封装测试等全链条制造工艺，是全球首个实现35微米超薄功率半导体晶圆全平台量产的产线。在思芯科技的带领下，该设施成为安森美（Alpha and Omega Semiconductor，AOS）中国生产基地的重大升级，实现了从晶圆处理到成品测试的高度协同制造。
35微米厚度仅为人类发丝直径的一半，其制造难度极大。一旦晶圆厚度低于50微米，机械脆性将急剧增加，对精密加工和应力控制提出严苛要求。通过与设备供应商的联合攻关，该产线实现了35±1.5微米的厚度控制精度。采用化学蚀刻工艺消除了92%的研磨应力损伤，晶圆破损率控制在0.1%以下；在切割环节，定制激光切割取代传统刀片切割，热影响区大幅缩小，切割良率高达98.5%，攻克了超薄晶圆加工的关键技术壁垒。
产线配备了全套专用制造设备：键合机对准误差控制在120微米以内，日产能约400片；研磨系统精度达0.1微米，片内厚度波动小于2微米；激光切割缝宽仅11微米，相比传统刀片切割，有效芯片面积利用率提升约10%。测试阶段日产出可达12万颗成品，展现出强大的规模化商业生产能力。
尤为关键的是，产线核心的键合、研磨、切割及解键合等设备，均由思芯科技与国内设备制造商联合开发。这不仅确保了关键制造工具的自主可控，也填补了中国在超薄晶圆生产设备应用领域的空白。
新产线将显著提升功率半导体器件性能。超薄晶圆架构可大幅降低导通电阻和热阻，载流子传输时间缩短40%。与传统100微米晶圆相比，热阻降低60%；结合双面散热封装设计，模组级热阻再降30%，功率循环寿命提升5倍。这些改进将大幅提升器件能效与散热性能，重点服务于新能源汽车、5G基站等高功率密度应用，为国产功率器件进军高压快充市场提供量产支撑。
思芯科技成立于2007年，是安森美在中国的主要半导体制造基地之一，由安森美（香港）有限公司全资控股。新产线的建成将进一步巩固其在功率半导体制造领域的核心竞争力。对于中国半导体行业而言，这一突破不仅验证了国产设备在精密制造环节的成熟度，更预示着在高端功率器件供应链自主化道路上迈出了坚实一步，未来有望在新能源汽车与5G通信等关键领域形成更强的国产替代能力。