日本立命馆大学衍生初创企业Patentix于2026年4月宣布完成总额约1.5亿日元的A1轮融资，投资方包括三菱UFJ资本和TMH。这笔资金将用于加速基于二氧化锗（GeO2）的功率半导体器件开发，推动该技术从实验室走向社会实际应用。日本在功率半导体领域长期面临材料瓶颈，GeO2作为超宽禁带半导体材料，被视为突破现有硅基和碳化硅技术局限的关键方向之一。
Patentix的核心业务聚焦于GeO2材料的研究、开发及制造销售。与传统的硅基或碳化硅材料相比，GeO2具有独特的优势：它既能实现p型掺杂也能实现n型掺杂，解决了以往宽禁带材料难以制备p型导电层的行业难题。此外，GeO2在成本控制和器件性能平衡方面展现出显著竞争力，被业界视为下一代功率半导体的理想候选材料。
自2022年2月成立以来，Patentix已完成了n型掺杂验证及肖特基势垒二极管的功能演示等关键基础研究。此次融资后，公司将进一步强化研发体系，重点推进6英寸GeO2半导体基板和功率器件的开发进程。资金还将用于构建更完善的制造能力，加速样品出货，标志着企业正式从“基础研究阶段”转向“实用化开发阶段”。
值得注意的是，Patentix自创立以来的累计融资额已达约12.09亿日元，显示出资本市场对日本本土半导体材料创新的持续信心。日本半导体产业近年来在政府支持下积极布局新材料赛道，试图在功率器件领域重夺全球竞争力。GeO2技术的突破若成功，将有助于日本在电动汽车、工业电源及可再生能源等关键领域建立新的技术壁垒。