9月2日至4日，拓达科技（Toward Technologies）亮相台北国际半导体展，于南港展览馆一号馆K3168展位展出高速射频切换、光耦碳化硅MOSFET继电器及模块化架构等产品矩阵。此次参展以“继电器重新定义”为主题，明确传递出企业从传统继电器制造商向高端切换解决方案提供商转型的战略动向。
针对射频微波与高速半导体测试接口日益严苛的频率性能要求，拓达重点推介了宽带锥形电感器。该器件支持最高六十吉赫兹频段工作，主要应用于偏置 Tee 电路、直流偏置注入网络、射频扼流圈及宽带测试接口。在探针卡、负载板及射频测试夹具等高频平台中，如何在引入直流偏置的最大限度降低对射频信号路径的干扰，是硬件设计的关键难点。拓达通过将宽带锥形电感器与切换技术深度结合，成功将能力边界从单一继电器元件拓展至射频信号路径、偏置网络及系统级切换架构。基于 AI-0260 系列电感器与 ALC 系列模块衍生的宽带锥形电感器模组，进一步验证了企业在高频组件技术与高速输入输出测试平台集成方面的工程实力。
面向新能源汽车电池管理系统（BMS）、功率半导体及高压电子系统的测试需求，拓达推出了光耦碳化硅MOSFET继电器。该产品采用光学耦合控制架构与碳化硅场效应晶体管深度融合，既保留了固态继电器无机械触点、寿命长、切换速度快的固有优势，又将负载耐压能力延伸至千伏级范围。在高压测试、测量路径切换及自动化测试场景中，该器件能够有效应对传统机械继电器无法胜任的高频通断与绝缘隔离挑战。此举不仅完善了企业在电气化与功率半导体测试系统中的技术布局，也为下游客户提供了兼顾高电压耐受性与快速响应特性的新型切换载体。
除上述核心器件外，展台还陈列了干簧继电器、射频微机电系统（RF MEMS）、固态继电器及高速电感解决方案。不同技术路线在接触电阻、可靠性、紧凑设计、漏电流抑制、高频切换性能及高压承载方面各具侧重。这种多技术平台策略允许终端客户依据具体应用场景灵活选型，而非被单一继电器类型所束缚。随着自动测试设备（ATE）架构日趋复杂，采购方已不再满足于查阅基础数据手册。拓达同步开放了涵盖继电器设计、射频与高速技术、碳化硅工艺、封装制造、测试验证及模组集成的全链路支持能力，服务链条可从应用需求评估与元器件选型，一直延伸至样品验证、切换模组开发与量产导入。在封装制造工艺层面，企业通过优化基板材料与引线框架设计，有效控制了器件的热阻与寄生电容。这种底层工艺改进直接提升了模组在长时间高负荷运行下的稳定性，降低了因热膨胀系数不匹配导致的早期失效概率。
当前人工智能与高性能计算（AI/HPC）、先进半导体测试及高压电子领域持续迭代，切换元件必须在频率特性、信号完整性、低漏电流、电气隔离、切换速率、通道密度及系统集成度上满足更高标准。拓达采取从元器件到子系统的开发模式，直接切入信号路由规划、射频路径设计、偏置网络搭建、隔离优化、通道密度提升及机械结构整合等工程痛点。企业旨在协助客户匹配目标系统在电气参数、热管理条件、机械应力及测试环境下的综合工况。对于国内从事半导体测试设备研发、工业电源控制或医疗电子仪器制造的工程师而言，此类具备跨学科整合能力的切换方案，可显著缩短原型机开发周期并降低系统级联调风险。在高频测试环境中，阻抗匹配与寄生参数控制尤为关键，模块化架构能有效屏蔽外部电磁干扰，确保测试数据的重复性与准确性。
拓达董事长许先生指出，本届展会是企业十余年来参与台北国际半导体展成果最为显著的一次。现场展出的多项产品均针对未来应用场景预研，相关技术投入旨在支撑企业未来十至二十年的持续增长。来自意大利、德国、英国、日本及新加坡的商业伙伴实地探访了展台，反映出该企业国际供应链与合作网络的持续扩张。拓达计划进一步深化与客户及技术伙伴的协作，强化在高速、射频、高压、功率及模块化切换领域的技术储备。面向海外渠道商与国内设备集成商，建议重点关注其模组化方案的交付周期与热仿真数据，以便在下一代电子设备及半导体测试产线中实现更平滑的技术替换与批量部署。在跨境采购环节，需提前确认产品的环保合规性及车规级认证进度，并结合本地化仓储物流规划备货节奏，以应对半导体测试耗材的周期性波动。