蓝宝石氮化镓衬底片生产商 4英寸硅掺杂

苏州恒迈瑞材料科技生产供应氮化镓复合衬底片，衬底结构为GaN on Sapphire，尺寸目前有2英寸，4英寸。导电类型分为n型非掺杂、n型硅掺杂，及Mg镁掺杂，抛光要求可为单抛或双抛。

氮化镓复合衬底片厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um

晶向：C-plane(0001)±0.5°

位错密度：≤5x108cm-2

当人们思考电力电子应用将使用哪种宽禁带（WBG）半导体材料时，都会不约而同地想到氮化镓(GaN)或碳化硅(SiC)。这不足为奇。因为氮化镓或碳化硅是电力电子应用中zui先进的宽禁带技术。市场研究公司Yole Développement在其报告中指出，电力电子应用材料碳化硅、氮化镓和其他宽禁带材料具有一个更大的带隙，可以进一步提高功率器件性能。市场shou选的电力电子应用产品中使用的仍然是4英寸晶圆。然而，许多的供应商可以提供高质的6英寸晶圆，用于电力设备中。