碳化硅替代硅IGBT提升充电系统效率

发布时间:2026-03-21 18:14  点击:1次

当前,为电动商用车、辅助电源系统、太阳能逆变器、固态变压器及各类工业运输设备供电的高效充电系统,高度依赖能够承受高电压的功率器件。为满足这一需求,Microchip Technology宣布扩展其碳化硅产品阵容,推出全新系列的1700V无封装碳化硅MOSFET,涵盖分立器件与高可靠性功率模块,旨在为行业提供更 robust 的功率解决方案。

这一新方案是对传统硅基IGBT的直接替代。以往,受限于硅基IGBT的开关频率和损耗,设计人员往往不得不牺牲性能或采用复杂的拓扑结构。此外,由于硅基器件限制了频率提升,导致系统中的变压器体积庞大,进而增加了整体电子功率系统的重量和尺寸。

全新的碳化硅家族产品使工程师能够摆脱硅基IGBT的束缚,采用更简洁的双电平拓扑结构,仅需更少的元器件即可实现卓越的效率与更简单的控制策略。得益于无开关损耗限制,功率转换单元的体积和重量得以显著缩减。这不仅为电动卡车、公交车等重型车辆释放了更多载货或载客空间,延长了续航里程,还降低了系统的总体拥有成本。

Microchip离散产品业务副总裁Leon Gross指出:“运输领域的系统设计者面临持续挑战,即必须在车辆尺寸不增加的前提下,承载更多人员和货物。”碳化硅技术的引入正是应对这一挑战的关键。

对于中国行业从业者而言,随着国内新能源汽车及储能市场对功率器件性能要求的不断提升,碳化硅从高端车型向商用车及工业领域的渗透已成必然趋势。Microchip此次推出的1700V产品,为国内企业在提升系统能效与集成度方面提供了有力的技术参考,值得在下一代电源设计中重点关注。

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