第三代半导体展会 2026 依托 IC China 2026 平台优势打造，聚焦宽禁带半导体核心赛道，围绕碳化硅、氮化镓、氧化镓、氮化铝等新一代宽禁带材料、外延工艺、功率器件、射频芯片、光电器件及终端应用解决方案，是国内第三代半导体领域规格高、产业链全、技术前沿、应用落地性强的专业展会。展会定于 2026 年 11 月在北京国家会议中心盛大举办，聚焦新能源、高端装备、射频通信、航空航天、工业控制等核心应用场景，完整呈现从衬底材料、外延生长、芯片设计、制造工艺、封装集成到终端落地的全链条成果，助力宽禁带半导体产业协同发展与规模化国产化。
IC China 中国国际半导体博览会，是国内起步早、影响力广、产业链布局完整的综合性半导体行业博览会。二十余年持续深耕产业，集聚行业协会、龙头企业、科研院所、高校研发力量，形成成熟的产业交流与商贸合作生态。2026 届展会总展览面积达 50000 平方米，汇聚全球各地数百家优质企业同台展出，全产业链品类全覆盖。第三代半导体作为国家重点战略赛道，是本届展会重点发力的细分板块，共享主展流量、买家资源与论坛体系，为宽禁带上下游企业提供、高效、高转化的展示合作平台。
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料，具备耐高压、耐高温、高频高速、低损耗、抗辐射等先天优势，完美弥补传统硅基半导体的性能瓶颈。在双碳战略推进、新能源汽车渗透提升、光伏储能大规模建设、5G 射频与新一代通信技术迭代的驱动下，第三代半导体进入高速增长周期。无论是高压功率器件、高频射频器件，还是高端光电子、特种电子领域，宽禁带器件渗透率持续提升，技术研发加速突破，产能建设持续落地，国产化替代空间广阔，成为半导体产业核心增长极。
本届第三代半导体展会 2026 展区布局高度垂直细分，设置宽禁带衬底材料专区、外延片与生长设备专区、功率半导体器件专区、射频与微波器件专区、光电子与深紫外器件专区、先进封装模组专区、终端应用解决方案专区七大核心板块。衬底材料集中展示 SiC 碳化硅衬底、GaN 氮化镓衬底、氧化镓、AIN 陶瓷基板等核心基材；外延板块展示 MOCVD、PVD 等外延生长设备与大尺寸、低缺陷外延晶圆；器件端覆盖 SiC MOSFET、GaN HEMT、快充芯片、车用功率模块、射频放大芯片等主流产品；先进封装聚焦高导热、高可靠、车规级封装工艺与模组集成方案，全面适配多领域高端应用需求。
展会同期举办宽禁带半导体产业发展峰会、碳化硅量产工艺研讨会、氮化镓规模化应用论坛、第三代半导体产学研对接会等高规格活动。汇聚行业企业、高校科研团队、产业政策专家、终端应用工程师，深度解读产业政策、技术路线、市场格局与国产化突破方向，分享材料制备、工艺优化、器件可靠性、成本控制等核心干货，打通研发与量产、技术与应用的衔接壁垒。
观众邀约精准定向新能源汽车整车厂、动力电池企业、光伏储能厂商、工控电源企业、通信设备商、国防配套单位、科研院所，搭建 “材料 — 设备 — 设计 — 制造 — 封装 — 终端” 全链条对接桥梁。通过现场展示、技术宣讲、商务洽谈、精准配对等形式，助力上下游企业高效合作，加速宽禁带技术规模化落地与市场化普及。
依托 IC China 全国性产业传播矩阵，全方位宣传第三代半导体产业创新成果与企业实力，强化国产宽禁带品牌影响力，完善材料、设备、器件、应用协同发展的产业生态，加快关键技术自主可控进程，助力我国第三代半导体产业抢占全球产业竞争制高点。
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